東京地方裁判所 平成３年（ワ）１０２７３号 判決 1998年10月23日
東京都世田谷区北烏山七丁目二一番二一号
甲事件原告
山﨑舜平
東京都中央区日本橋一丁目一三番一号
乙事件原告
ティーディーケイ株式会社
右代表者代表取締役
佐藤博
右両名訴訟代理人弁護士
奥野〓久
同
内藤正明
甲事件原告訴訟復代理人兼
乙事件原告訴訟代理人弁護士
西村光治
東京都千代田区麹町一丁目七番地 相互半蔵門ビルディング
各事件被告
ロツクウエル インターナショナルジャパン株式会社
右代表者代表取締役
芦田光正
右訴訟代理人弁護士
尾﨑英男
同
近藤惠嗣
同
大野聖二
右訴訟復代理人弁護士
嶋末和秀
主文
一 原告らの請求をいずれも棄却する。
二 訴訟費用は原告らの負担とする。
事実及び理由
第一 請求
一 被告は、原告ら各自に対し、金三億四二七九万円及びこれに対する平成二年一二月一八日から支払済みまで年五分の割合による金員を支払え。
二 訴訟費用は被告の負担とする。
第二 事案の概要
一 争いのない事実等
１ 原告らは、次の特許権（以下「本件特許権」といい、その特許請求の範囲第１項の発明を「本件発明」という。）を、持分各二分の一の割合で共有していた。
特許番号 第一四六三六八〇号
発明の名称 半導体装置
出願日 昭和四五年一二月一七日
公告日 昭和五一年八月二三日
登録日 昭和六三年一〇月二八日
存続期間満了の日 平成二年一二月一七日
特許請求の範囲第１項
「絶縁ゲイト型電界効果トランジスタを少なくとも二つ有する半導体装置において、第一の電界効果トランジスタでは、主成分が半導体材料よりなるゲイト電極・リードが設けられるとともに該ゲイト電極・リードと同一材料よりなる電極・リードがソースまたはドレインのいずれか一方のみに設けられ、前記第一のトランジスタをおおう絶縁膜上には、第一のトランジスタのソースまたはドレインの他の一方に接続された金属の電極・リードが設けられており、該電極・リードは、第二の電界効果トランジスタのソースまたはドレインのいずれか一方の電極・リードとしても構成されていることを特徴とする半導体装置。」
２ 本件発明の構成要件は、次のＡないしＤ（以下「構成要件Ａ」などという。）のとおりに分説される（甲一の一、二、弁論の全趣旨）。
Ａ 絶縁ゲイト型電界効果トランジスタを少なくとも二つ有する半導体装置である。
Ｂ 前記少なくとも二つある電界効果トランジスタのうち、第一の電界効果トランジスタでは、主成分が半導体材料よりなるゲイト電極・リードが設けられている。
Ｃ 前記第一の電界効果トランジスタのソースまたはドレインのいずれか一方のみに、ゲイト電極・リードと同一の半導体材料よりなる電極・リードが接続されている。
Ｄ 前記第一の電界効果トランジスタを覆う絶縁膜上には金属の電極・リードが設けられ、該金属の電極・リードは、前記第一の電界効果トランジスタのソースまたはドレインの他の一方に接続され、また、前記第二の電界効果トランジスタのソースまたはドレインのいずれか一方の電極・リードとしても構成されている。
３ 被告は、別紙イ号物件目録記載の半導体集積回路（以下「イ号物件」という。）を搭載したファクシミリ用モデムを輸入・販売した。
４ イ号物件目録記載の本件半導体装置は、次のａないしｄのとおりの構成上の特徴（以下「構成ａ」などという。）を有する。
ａ シリコン基板１上に形成されたゲイト絶縁膜２１、２２、２３、深い不純物層３（第２図ではほぼ正方形状をした部分）、多結晶シリコン（ポリシリコン）４１、４２、４３（第２図では右上がりの斜線で描かれた部分）、拡散領域５Ａ、５Ｂ、５Ｃ、５Ｄ（第２図では左上がりの斜線で描かれた部分）からなり、多結晶シリコン（ポリシリコン）４１の<１>で示された部分及びその下のゲイト絶縁膜２１の両側に、拡散領域５Ａの部分<２>と拡散領域５Ｂの部分<３>が隣接し、多結晶シリコン（ポリシリコン）４２の<４>で示された部分及びその下のゲイト絶縁膜２２の両側に、拡散領域５Ａの部分<５>と拡散領域５Ｃの部分<６>が隣接し、多結晶シリコン（ポリシリコン）４３の一部分はコンタクト６を形成し、拡散領域５Ｂと接続され、金属配線９、10が絶縁物被膜７上に設けられ、同配線９、10はコンタクトホール８１、８２、８３、８４、８５中に形成されたコンタクトを介してそれぞれ拡散領域５Ａ、５Ｃと接続され（構成の説明（一）、（二）、（三）、（五）、（八）及び（九））、
ｂ 多結晶シリコン（ポリシリコン）４１の<１>で示された部分及びその下のゲイト絶縁膜２１の両側に、拡散領域５Ａの部分<２>と拡散領域５Ｂの部分<３>が隣接し（構成の説明（二））、
ｃ 多結晶シリコン（ポリシリコン）４３の一部分はコンタクト６を形成し、拡散領域５Ｂと接続され（構成の説明（五））、
ｄ 多結晶シリコン（ポリシリコン）及び拡散領域の全体を覆うように絶縁物被膜７が設けられ、絶縁物被膜７を貫通するコンタクトホール８１、８２、８３、８４、８５が穿けられ、金属配線９、10が絶縁物被膜７上に設けられ、同配線９、10はコンタクトホール８１、８２、８３、８４、８５中に形成されたコンタクトを介してそれぞれ拡散領域５Ａ、５Ｃと接続されている（構成の説明（六）、（七）、（八）及び（九））。
５ 構成ａのうち、多結晶シリコン（ポリシリコン）４１の<１>の部分、ゲイト絶縁膜２１、その両側の拡散領域５Ａ及び５Ｂは、絶縁ゲイト型電界効果トランジスタを形成している。すなわち、４１の<１>の部分はゲイト電極を、２１はゲイト絶縁膜を、５Ａはソースを、５Ｂはドレインをそれぞれ構成している（以下「第一のトランジスタ」という。）。
また、多結晶シリコン（ポリシリコン）４２の<４>の部分、ゲイト絶縁膜２２、その両側の拡散領域５Ａ及び５Ｃも、絶縁ゲイト型電界効果トランジスタを形成している。すなわち、４２の<４>の部分はゲイト電極を、２２はゲイト絶縁膜を、５Ａはソースを、５Ｃはドレインをそれぞれ構成している（以下「第二のトランジスタ」という。）。
さらに、多結晶シリコン（ポリシリコン）４３の<７>の部分、ゲイト絶縁膜２３、その両側の拡散領域５Ｂ及び５Ｄも、絶縁ゲイト型電界効果トランジスタを形成している。すなわち、４３の<７>の部分はゲイト電極を、２３はゲイト絶縁膜を、５Ｄはソースを、５Ｂはドレインをそれぞれ構成している（以下「第三のトランジスタ」という。）（以上、５全体につき、弁論の全趣旨）。
６ 構成ｂは、構成要件Ｂを充足する。
二 本件は、原告らが被告に対し、イ号物件が本件特許権を侵害すると主張して、不法行為に基づく損害賠償の支払を求める事案であり、争点は、次の１ないし５である。
１ 構成要件Ａの充足性の有無
具体的には、構成要件Ａを限定解釈すべきか否か。
２ 構成要件Ｃの充足性の有無
具体的には、コンタクト６及び多結晶シリコン（ポリシリコン）４３が第一のトランジスタの電極・リードであるか否か。
３ 構成要件Ｄを充足するか否か。
具体的には、コンタクト８１ないし８４が第一のトランジスタ及び第二のトランジスタの共通のソース電極であるか否か。
４ 損害の有無及び額
５ 原告ティーディーケイの請求についての消滅時効の成否
第三 争点に関する当事者の主張
一 争点１（構成要件Ａの充足性の有無）について
１ 原告らの主張
（一） イ号物件の第一及び第二のトランジスタは絶縁ゲイト型電界効果トランジスタであるから、本件半導体装置は絶縁ゲイト型電界効果トランジスタを少なくとも二つ有し、構成要件Ａを充足する。
（二） 本件発明の目的は、回路の微細化、集積化にあり、そのためには本件発明の対象となるトランジスタが互いにインバータ等の回路を構成していることは必要ではなく、構成要件Ａの「絶縁ゲイト型電界効果トランジスタを少なくとも二つ有する」との部分を「インバータに代表されるような、絶縁ゲイト型電界効果トランジスタを少なくとも二つ有する論理回路を含む」という意味に限定解釈する理由はない。
２ 被告の主張
本件発明の出願経過及び半導体集積回路における常套手段からすると、構成要件Ａの「絶縁ゲイト型電界効果トランジスタを少なくとも二つ有する」との部分は、本件発明の実施例に記載されているようなインバータ回路か、又は少なくとも「インバータに代表されるような、絶縁ゲイト型電界効果トランジスタを少なくとも二つ有する論理回路を含む」という意味に限定して解釈されるべきである。
しかし、イ号物件の第一及び第二のトランジスタは、電気回路上全く無関係であり、単に二つのトランジスタのソースが金属配線９を介して共通の接地電位に接続されているにすぎない。
したがって、構成要件Ａを充足しない。
二 争点２（構成要件Ｃの充足性の有無）について
１ 原告らの主張
多結晶シリコン（ポリシリコン）４３のコンタクト６は、第一のトランジスタのドレインである拡散領域５Ｂに接続され、そこに生じる電場を第三のトランジスタのゲイト電極に伝えて電場を作る回路端であるから、コンタクト６は第一のトランジスタのドレイン電極である。
また、多結晶シリコン（ポリシリコン）４３のコンタクト６に続く部分は、第一のトランジスタのドレインに生じる電場を、コンタクト６から第三のトランジスタのゲイト電極に電圧として伝達するもの、すなかち、ドレインの電気的機能をゲイト電極に伝達するものであるから、第一のトランジスタのドレインのリードである。
このように、第一のトランジスタのドレイン（５Ｂ）には多結晶シリコン（ポリシリコン）の電極・リード(43)が接続されており、ゲイト電極・リード(41)も多結晶シリコン（ポリシリコン）であるから、両者は同一の半導体材料よりなるものである。さらに、第一のトランジスタのソースである拡散領域５Ａには金属の電極・リードが接続されている。
したがって、イ号物件は、第一のトランジスタのゲイト電極・リードと同一の半導体材料よりなる電極・リードが第一のトランジスタのドレインのみに接続されているので、構成要件Ｃを充足する。
２ 被告の主張
（一） ポリシリコン４３は、第三のトランジスタのゲイト電極・リードであって、第一のトランジスタのドレインの電極・リードではない。
ゲイト電極は電場を作るための回路端であるのに対し、ソース電極やドレイン電極は電流を流すための回路端である。また、リードは、基板上に形成された回路素子同士をフィールド絶縁膜の上で電気的に結合する配線である。
コンタクト６は、第三のトランジスタのトランジスタ特性を変えるために第三のトランジスタのゲイト電極とドレインを等電位に接続する手段である。すなわち、コンタクト６は、ドレイン（５Ｂ）にゲイト電極と同じ電場（電位）をつくるための回路端であり、第一のトランジスタのドレインに電流を流すための回路端ではないからドレイン電極ではなく、第三のトランジスタのゲイト電極の延長である。
また、ソースやドレインが電極・リードを必要とするのは、半導体基板を被覆する絶縁膜の上に形成された配線（リード）によって当該ソースやドレインを他の回路素子と電気的に結合する場合であるが、第一のトランジスタのドレインは、第三のトランジスタのドレインと共通であるから、第一のトランジスタのドレインには電流を流すための電極は不要であり、第一のトランジスタのドレインには電極が存在しない。
（二） トランジスタのゲイト電極・リードを半導体で形成するのは公知技術であり、本件発明は、ゲイト電極・リードを半導体で形成するのとは別に、ソース又はドレインの一方に半導体の配線を形成することを特徴とするものである。
しかし、イ号物件は、第三のトランジスタのゲイト電極・リードを公知技術である半導体（ポリシリコン４３）で形成し、ゲイト電極とドレインを等電位にするために、第三のトランジスタのゲイト電極・リード（ポリシリコン４３）を延長してコンタクト６を形成し、ゲイト電極とドレインを結合したものであり、公知技術である半導体からなるゲイト電極・リードにコンタクトを付加したにすぎないものであるから、本件発明とは異なる。
三 争点３（構成要件Ｄの充足性の有無）について
１ 原告らの主張
第一のトランジスタを覆う絶縁物被膜７上に金属配線９が設けられ、金属配線９は、コンタクトホール８１、８２、８３、８４中に形成されたコンタクトを介して拡散領域５Ａに接続されている。金属配線９のうち、右コンタクト部分は電極を構成し、それ以外の部分はリードを構成する。そして、金属配線９が接続する拡散領域５Ａは、第一のトランジスタのソースであり、同時に、第二のトランジスタのソースでもある。
右のとおり、第一のトランジスタを覆う絶縁被膜上には金属の電極・リードが設けられ、該電極・リードは、第一のトランジスタのソースに接続され、さらに、第二のトランジスタのソースに接続される電極・リードとしても構成されているから、イ号物件は、構成要件Ｄを充足する。
２ 被告の主張
（一） 本件発明において、第一のトランジスタと第二のトランジスタの金属電極・リードを共通とすることの意味は、単に電気的に同じ電位にすることにあるのではなく、回路面積を小さくすることにある。
本件発明の目的が「半導体装置全体の小型化、高密度集積化」にあることや出願経過に鑑みれば、金属電極・リードの共通性の有無は、単に電位的な同一性ではなく、回路配置上の物理的な同一性によって判断すべきであるところ、イ号物件における第一及び第二のトランジスタの配置とコンタクト８１ないし８４の配置をみれば、コンタクト８１、８２は第二のトランジスタに帰属し、コンタクト８３、８４は第一のトランジスタに帰属するように、四個設けられている。コンタクトが四個あること自体が個々のコンタクトが両方のトランジスタに共通ではないことを示している。
（二） さらに、第一及び第二のトランジスタのソース電流の流れを考慮すれば、第二のトランジスタのソース電流は、コンタクト８１、８２を流れ、第一のトランジスタのソース電流はコンタクト８３、８４を流れるから、コンタクト８１、８２が第二のトランジスタのソース電極であり、コンタクト８３、８４が第一のトランジスタのソース電極である。
四 争点４（損害）について
１ 原告らの主張
昭和六三年人月一日から平成二年一二月一七日までの間に被告が販売したイ号物件を搭載したファクシミリ用モデムの販売額は、少なくとも合計三四二億七九〇〇万円を下らない。
本件特許権の実施料率は、右販売額の少なくとも二パーセントが相当であり、原告らは本件特許権の各二分の一の持分を有していたから、原告各自が被告から受けるべき実施料相当額は、金三億四二七九万円を下らず、原告らはそれぞれ同額の損害を被った。
２ 被告の主張
原告の主張を争う。
五 争点５（時効の成否）について
１ 被告の主張
原告ティーディーケイの損害賠償請求は、不法行為に基づくものであるから、昭和六三年八月一日から平成二年一二月一五日までのイ号物件搭載のファクシミリ用モデムの販売額の部分は、遅くとも原告ティーディーケイの本件提訴の日の前日である平成五年一二月一六日までに時効により消滅しており、被告は右時効を援用する。
２ 原告ティーディーケイの主張
原告ティーディーケイの損害賠償請求についての時効の起算点は、原告ティーディーケイが侵害の事実及び侵害者を知ったときである。原告ティーディーケイが侵害の事実を知ったのは、原告山﨑舜平より、本件侵害の事実の連絡を受けた平成三年三月一三日であり、この日から時効期間が進行するから、消滅時効は完成しない。
第四 当裁判所の判断
一 争点３（構成要件Ｄの充足性の有無）について
１ 構成要件Ｄのうちの「該金属の電極・リードは、前記第一の電界効果トランジスタのソースまたはドレインの他の一方に接続され、また、前記第二の電界効果トランジスタのソースまたはドレインのいずれか一方の電極・リードとしても構成されている」の意義は、第一のトランジスタのソース又はドレインの電極・リードと第二のトランジスタのソース又はドレインの電極・リードが共通の金属の電極・リードにより構成されていることを意味するものと解される。
前記第二の一４、５のとおり、イ号物件は、多結晶シリコン（ポリシリコン）及び拡散領域の全体を覆うように絶縁物被膜７が設けられ、絶縁物被膜７を貫通するコンタクトホール８１、８２、８３、８４が穿けられ、金属配線９が絶縁物被膜７上に設けられ、同配線９はコンタクトホール８１、８２、８３、８４中に形成されたコンタクトを介してそれぞれ拡散領域５Ａと接続されている。そして、金属配線９のコンタクト８１ないし８４が接続された拡散領域５Ａは、第一のトランジスタのソースであり、また、第二のトランジスタのソースでもある。したがって、イ号物件が構成要件Ｄを充足するというためには、金属配線９のコンタクト８１ないし８４が第一のトランジスタ及び第二のトランジスタの共通のソース電極でなければならない。
そこで、コンタクト８１ないし８４が第一のトランジスタ及び第二のトランジスタの共通のソース電極であるかどうかについて判断する。
２ 別紙イ号物件と証拠（甲二、八、九）によると、イ号物件は、拡散領域５Ａが、ゲイト絶縁膜２１に隣接する部分<２>と、ゲイト絶縁膜２２に隣接する部分<５>と、コンタクトホール８２と８３の間の、部分<２>と部分<５>とを接続する部分（以下「接続部分」という。）から構成されていること、部分<２>及び部分<５>と接続部分とを比べると、部分<２>及び部分<５>はかなり広い領域であるのに対し、接続部分は幅の狭いくびれた形状をした領域である（甲二の写真10）こと、以上の事実が認められる。
また、金属配線９は第一及び第二のトランジスタを共通の接地電位（基準電位）に接続するための配線であるが、第一のトランジスタは拡散領域５Ａの部分<２>にあるコンタクト８３、８４を介して金属配線９に接続され、第二のトランジスタは部分<５>のコンタクト８１、８２を介して金属配線９に接続されているから、、これだけで右の目的を達するのに十分であり、拡散領域５Ａの部分<２>と部分<５>とが接続されている必要はない。
さらに、証拠（甲二八）と弁論の全趣旨によると、イ号物件の第二のトランジスタにおいて、ドレイン電圧を三ボルトで固定し、ゲイト電圧をマイナス五ボルトから五ボルトまで〇・一ボルトずつ変化させたときの、コンタクト８１ないし８４を通って流れるドレイン電流の量とコンタクト８１、８２を通って流れるドレイン電流の量をそれぞれ測定したところ、ゲイト電圧が三ボルトから五ボルトの範囲において、コンタクト８１、８２を流れる電流量は、コンタクト８１ないし８４を通って流れる電流量の約八〇ないし九〇パーセントであり、したがって、コンタクト８３、８４を流れる電流量は、全体の約一〇ないし二〇パーセントであったこと、第二のトランジスタは、ドレイン電流がコンタクト８１ないし８４を通って流れる場合もコンタクト８１、８２のみを通って流れる場合も、ともにエンハンスメント型ＥＦＴの通常のトランジスタ特性を示したこと、以上の事実が認められ、右認定の事実にイ号物件の本件半導体装置の回路配置及び構造を合わせ考慮すると、第一のトランジスタにおいても、コンタクト８１ないし８４を通るドレイン電流の量とコンタクト８３、８４を通るドレイン電流の量との割合は、第二のトランジスタの場合と同様ないしそれに近いものであると推認することができ、第一のトランジスタはドレイン電流がコンタクト８３、８４のみを流れる場合もエンハンスメント型ＥＦＴの通常のトランジスタ特性を示すものと推認することできる。
以上述べたところを総合考慮すると、イ号物件においては、部分<２>と部分<５>とが接続部分で接続される必要性はなく、第一のトランジスタの電流が部分<２>からコンタクト８３、８４を通って金属配線９に流れてコンタクト８３、８４が第一のトランジスタのソース電極として機能し、第二のトランジスタの電流が部分<５>からコンタクト８１、８２を通って金属配線９に流れてコンタクト８１、８２が第二のトランジスタのソース電極として機能すれば、それぞれのトランジスタは正常に動作するものと認められる。
３ ところで、証拠（甲一の一、二、乙四）と弁論の全趣旨によると、本件発明は、半導体装置の小型化、高密度集積化を目的とした発明であること、本件発明においては、構成要件Ｄの構成を採用したことによって、第一のトランジスタのソース又はドレインの金属製の電極・リードと第二のトランジスタのソース又はドレインの金属製の電極・リードが共通になり、その結果、右目的が達成されるという効果があること、以上の事実が認められる。
以上の事実に照らすと、構成要件Ｄにおいて、「ソース又はドレインの電極・リード」を共通にすることの意味は、単に電極・リードが共通であれば足りるのではなく、各トランジスタを正常に動作させるために必要な電極・リードを共通にすることを意味するものと解される。なぜならば、各トランジスタを正常に動作させるために必要な電極・リードが共通になれば、半導体装置の小型化、高密度集積化を達成することができるが、各トランジスタを動作させる電極・リードが別々に存在する場合には、それらの電極・リードに他のトランジスタからの電流が流れるとしても、半導体装置が小型化、高密度集積化するとはいえないからである。
イ号物件においては、右２認定のとおり、各トランジスタを正常に動作させる電極が別々に存在するのであるから、構成要件Ｄを充足するということはできない。
なお、原告は、イ号物件においては、コンタクトを四つにしたことによって一つ当たりの電流量が減るから、コンタクトが発熱によって接触不良を生じる確率が低くなる上、コンタクトの一部に接触不良が生じても、他のコンタクトに電流が流れて機能するのであって、このように、信頼性確保のためには、四つのコンタクトが必要であると主張する。しかし、イ号物件において、部分<２>と部分<５>とを接続部分で接続しておかないと、信頼性が低いために通常の使用に支障が生じるとの事実を認めるに足りる証拠はない。そして、通常の使用で支障が生じない以上、第一のトランジスタのためコンタクト８３、８４とは別に、付加的な電極としてコンタクト８１、８２に相当するものを設けるということは考えられず、同様のことは第二のトランジスタについてもいえることである。したがって、コンタクト８１、８２があることにより第一のトランジスタの信頼性が向上するということがあるとしても、コンタクト８１、８２は、第一のトランジスタの右の意味での付加的な電極をも兼ねるものではないと考えられ、第二のトランジスタとコンタクト８３、８４との関係についても同様に考えることができる。以上によると、第一のトランジスタにとってコンタクト８１、８２が、第二のトランジスタにとってコンタクト８３、８４が存在することによって信頼性が向上するとしても、そのことは、半導体装置の小型化、高密度集積化という本件発明の目的の達成に寄与しているとはいえないから、そのことを理由に構成要件Ｄを充足するということはできない。
４ 以上のとおり、イ号物件の第一のトランジスタ及び第二のトランジスタは共通の金属電極を有しないから、構成要件Ｄを充足しない。
二 よって、その余の点について判断するまでもなく、本訴請求は理由がないから棄却することとし、主文のとおり判決する。
（裁判長裁判官 森義之 裁判官 榎戸道也 裁判官 中平健）
イ号物件目録
一、対象物件
第１乃至第３図に示された半導体装置（「本件半導体装置」）を組み込んだ半導体集積回路装置
二、図面の説明
第１図は本件半導体装置の、特に金属配線を示す平面図、第２図は同半導体装置の、金属配線と絶縁物被膜を除去した状態で多結晶シリコン（ポリシリコン）及び拡散領域を示す平面図、第３図は第１図および第２図の同半導体装置のＡ1－Ａ2、Ａ3－Ａ2、Ａ3－Ａ4、Ａ4－Ａ5の各線に沿った断面図である。
三、構成の説明
本件半導体装置は、
（一） シリコン基板１上に形成されたゲイト絶縁膜２1、２2、２3、深い不純物層３（第２図でほぼ正方形状をした部分）、多結晶シリコン（ポリシリコン）４1、４2、４3（第２図で右上がりの斜線で描かれた部分）、拡散領域５A、５B、５C、５D（第２図で左上がりの斜線で描かれた部分）からなり、
（二） 多結晶シリコン（ポリシリコン）４1の<１>で示された部分及びその下のゲイト絶縁膜２1の両側に、拡散領域５Aの部分<２>と拡散領域５Bの部分<３>が隣接し、
（三） 多結晶シリコン（ポリシリコン）４2の<４>で示された部分及びその下のゲイト絶縁膜２2の両側に、拡散領域５Aの部分<５>と拡散領域５Cの部分<６>が隣接し、
（四） 多結晶シリコン（ポリシリコン）４3の中<７>で示された部分及びその下のゲイト絶縁膜２3の両側に、拡散領域５Bの部分<８>と拡散領域５Dの部分<９>が隣接し、
（五） 多結晶シリコン（ポリシリコン）４3の一部分はコンタクト６を形成し、拡散領域５Bと接続され、
（六） 多結晶シリコン（ポリシリコン）及び拡散領域の全体を覆うように絶縁物被膜７が設けられ、
（七） 絶縁物被膜７を貫通するコンタクトホール８1、８2、８3、８4、８5が穿けられ、
（八） 金属配線９、10が絶縁物被膜７上に設けられ、
（九） 同配線９、10はコンタクトホール８1、８2、８3、８4、８5中に形成されたコンタクトを介してそれぞれ拡散領域５A、５Cと接続され、
（一〇） 拡散領域５Aの部分<２>の電位は拡散領域５A、コンタクトホール８1、８2、８3、８4中に形成されたコンタクト、金属配線９を介して共通の接地電位（基準電位）に接続され、
（一一） 拡散領域５Aの部分<５>の電位は拡散領域５A、コンタクトホール８1、８2、８3、８4中に形成されたコンタクト、金属配線９を介して共通の接地電位（基準電位）に接続されている。
（符号の説明）
１ シリコン基板
２1、２2、２3 ゲイト絶縁膜
３ 深い不純物層
４1、４2、４3 多結晶シリコン（ポリシリコン）
５A、５B、５C、５D 拡散領域
６ コンタクト
７ 絶縁被膜
８1、８2、８3、８4、８5 コンタクトホール
９、10 金属配線
<１> 多結晶シリコン（ポリシリコン）４1の一部分
<２> 拡散領域５Aの一部でゲイト絶縁膜に２1に隣接する部分
<３> 拡散領域５Bの一部でゲイト絶縁膜に２1に隣接する部分
<４> 多結晶シリコン（ポリシリコン）４2の一部分
<５> 拡散領域５Aの一部でゲイト絶縁膜に２2に隣接する部分
<６> 拡散領域５Cの一部でゲイト絶縁膜に２2に隣接する部分
<７> 多結晶シリコン（ポリシリコン）４3の一部分
<８> 拡散領域５Bの一部でゲイト絶縁膜に２3に隣接する部分
<９> 拡散領域５Dの一部でゲイト絶縁膜に２3に隣接する部分
第１図
<省略>
第２図
<省略>
第３図
<省略>