大判例

東京高等裁判所 平成５年（行ケ）１８６号 判決 1996年6月13日

東京都中央区銀座４丁目２番１１号

原告

東芝機械株式会社

同代表者代表取締役

岡野貞夫

同訴訟代理人弁理士

浜田治雄

同

吉嶺桂

同訴訟復代理人弁理士

谷田睦樹

東京都千代田区霞が関３丁目４番３号

被告

特許庁長官　清川佑二

同指定代理人

左村義弘

同

湯原忠男

同

及川泰嘉

同

関口博

主文

被告が平成４年審判第１３１９３号事件について平成５年９月６日にした審決を取り消す。

訴訟費用は被告の負担とまる。

事実

第１ 　当事者の求めた裁判

１ 　原告

主文と同旨の判決

２ 　被告

「原告の請求を棄却する。訴訟費用は原告の負担とする。」との判決

第２ 　請求の原因

１ 　特許庁における手続の経緯

原告は、昭和５７年１月２８日、名称を「半導体気相成長装置」とする発明（以下「本願発明」という。）につき、特許出願（特願昭５７－１１９９７号）をし、昭和６３年６月８日出願公告されたが、同年９月８日特許異議の申立てがあり、平成４年４月８日特許異議の申立ては理由があるとの旨の決定とともに拒絶査定を受けたので、同年７月１６日審判を請求した。特許庁は、この請求を平成４年審判第１３１９３号事件として審理した結果、平成５年９月６日、「本件審判の請求は、成り立たない。」との審決をし、その謄本は、同年１０月６日原告に送達された。

２ 　本願発明の要旨

シリコン等の基板上に気相成長を行わしめる反応炉と、前記基板を加熱する手段と、気相成長に必要な各種ガス源と前記反応炉との間を接続する管路網と、該管路網上に設けられ前記各種ガスに対しその所望量を前記反応炉に導くよう前記管路網を形成せしめる弁装置とこの弁装置のオン、オフないしはその開度を制御するための信号および前記加熱手段を制御する信号を与える制御装置とからなる半導体気相成長装置において、

前記制御装置は、前記炉内における１回の気相成長に係る実際の各シーケンスプロセスに対応して必要とされるシーケンス時間と該シーケンス時間内において供給されるべき１つまたは複数のガスの種類およびその流量と前記シーケンス時間内において炉内で実現すべき温度とに関する情報を前記各シーケンスプロセスに対応するパラメータデータとしてストアし得るプロセスプログラムを形成し、このプロセスプログラムを単位としてこれの複数個からなる前記１回の気相成長に対応したプロセスプログラム群を１つないし複数個貯蔵する第１メモリ手段と、

キー入力手段と、

前記プロセスプログラムの内容を前記キー入力手段に応答して表示せしめる表示手段と、

前記プロセスプログラム群内の各プロセスプログラムを順次デコードして前記弁装置および加熱手段への前記各制御信号を形成せしめるためのデコード用処理プログラムおよび前記表示手段上に表示されたプロセスプログラムの内容を修正するための修正処理プログラムを貯蔵する第２メモリ手段とからなる半導体気相成長装置。

３ 　審決の理由の要点

(1) 　本願発明の要旨は、前項記載のとおりである。

(2)<１> 　これに対し、ＳＯＬＩＤ　ＳＴＡＴＥ　ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ／Ｎｏｖｅｍｂｅｒ　１９７２、３５頁ないし３９頁（以下「第１引用例」という。）には、コンピュータコントロールされたシリコン等半導体装置の気相エピタキシャル製造システムにおいて、“レシピーテーブル”（ＲＥＣＩＰＥ　ＴＡＢＬＥ）がコンピュータ内の磁気コアに常駐して貯蔵されると共に必要な時に呼び出されるようになっており、このレシピーテーブルには、ステップが組み込まれて、このステップ毎にシーケンス時間値（ＴＮＥ）その他のステップ固有のデータ（生産レシピー）が入力されるようになっており、この生産レシピー、即ちシーケンス時間値（ＴＮＥ）、セットポイント（温度及びガス流量値）およびガス種類選択等を含む機能動作情報（ｆｕｎｃｔｉｏｎ　ｏｐｅｒａｔｉｏｎ　ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎまたはｆｕｎｃｔｉｏｎ）は１つのレシピーファイルとしてディスクに保存され、コンピュータ処理装置と気相エピタキシャル装置との間にはＤＭＡチャンネルとＩ／Ｏインターフェイスとを介してバルブのオンオフや加熱等の制御信号が伝達するようになされている装置、が示されている。

<２> 　特開昭５３－１０４１３３号公報（以下「第２引用例」という。）には、制御プログラムを修正（デバッグ）する修正用プログラム（デバッグプログラム）を制御プログラム記憶部の所定の領域に記憶しておき、必要な時にこれを呼び出して、ディスプレイ上に表示された制御プログラムを修正するために用いるようにしたキーボードディスプレイ装置、が示されている。

(3)<１> 　本願発明と第１引用例の技術内容とを対応させた場合に、第１引用例の気相エピタキシャル装置には、反応炉、基板加熱手段、ガス用の管路網及び弁装置および弁装置や加熱手段等を制御するための制御装置が含まれていることは自明であり、第１引用例のレシピーテーブルの各ステップに入力される生産レシピー（シーケンス時間即ちＴＮＥ、温度、ガス流量およびガス選択の各データ）は本願発明のプロセスプログラムに相当するものであり、従って、１つのレシピーテーブル全体に入力される全ステップの生産レシピーが保管される第１引用例のレシピーファイルは本願発明のプロセスプログラム群に対応する。ゆえにこのレシピーファイルが保存される第１引用例のディスク（別紙図面１第７図参照）は当然のことながら本願発明の第１メモリに相当する。また、第１引用例において、コンピュータ処理装置と気相エピタキシャル装置との間にＤＭＡチャンネルとＩ／Ｏインターフェイスとを通してバルブのオンオフや加熱等の制御信号が伝達される過程においては、明記されてはいないが、特定のメモリに保存されているはずであるデコード用の処理プログラムが用いられることは自明である。さらに、第１引用例におけるコンピュータシステムがこれを操作させる装置としてキー入力手段および各データの表示手段を具備することも自明である。

<２> 　そこで、本願発明と第１引用例の技術内容とを上記事項を鑑みて対比すると、結局両者は「シリコン等の基板上に気相成長を行わしめる反応炉と、前記基板を加熱する手段と、気相成長に必要な各種ガス源と前記反応炉との間を接続する管路網と、該管路網上に設けられ前記各種ガスに対しその所望量を前記反応炉に導くよう前記管路網を形成せしめる弁装置とこの弁装置のオン、オフないしはその開度を制御するための信号及び前記加熱手段を制御する信号を与える制御装置とからなる半導体気相成長装置において、

前記制御装置は、前記炉内における１回の気相成長に係る実際の各シーケンスプロセスに対応して必要とされるシーケンス時間と該シーケンス時間内において供給されるべき１つまたは複数のガスの種類およびその流量と前記シーケンス時間内において炉内で実現すべき温度とに関する情報を前記各シーケンスプロセスに対応するパラメータデータとしてストアし得るプロセスプログラムを形成し、このプロセスプログラムを単位としてこれの複数個からなる前記１回の気相成長に対応したプロセスプログラム群を１つないし複数個貯蔵する第１メモリ手段と、キー入力手段（キー手段は、誤記と認める。）と、前記プロセスプログラムの内容を前記キー入力手段に応答して表示せしめる表示手段と、前記プロセスプログラム群内の各プロセスプログラムを順次デコードして前記弁装置および加熱手段への前記各制御信号を形成せしめるためのデコード用処理プログラムを貯蔵する第２メモリ手段とからなる半導体気相成長装置。」という点で一致する。

ただ、本願発明が、表示手段上に表示されたプロセスプログラムの内容を修正するための修正用処理プログラムを第２メモリに貯蔵するようにしたものであるのに対し、第１引用例の技術内容には、このようなことが示されていない、という点で両者は相違する。

(4) 　よって、この相違点について以下検討を行う。

<１>　前記第２引用例には、制御プログラムを修正（デバッグ）する修正用プログラム（デバッグプログラム）を制御プログラム記憶部の所定の領域に記憶しておき、必要な時にこれを呼び出して、ディスプレイ上に表示された制御プログラムを修正するために用いるようにした方法が示されているように、コンピュータシステムにおいて修正用処理プログラムを予め所定の記憶部に貯蔵しておき、必要な時にこれを呼び出して表示装置に表示されたデータの内容を修正するのに用いることは、従来から良く知られていることである。従って、第２引用例のコンピュータコントロールされた気相エピタキシャル製造システムにおいて、表示手段上に表示されたプロセスプログラムの内容（生産レシピー）を修正するための修正用処理プログラムを第１メモリとは異なる別のメモリ、例えば第２メモリに貯蔵するようにすることは、当業者が良く知られている慣用技術から容易に想到し得ることである。

<２>　なお、請求人（原告）は、第１引用例の特定のステップに対してのみＴＮＥ等の生産レシピーが入力されるものであって、それ以外のステップにはそれらのデータは入力されない、例えばステップｍに対して生産レシピーは入力されるが、その前後のステップｍ－１やｍ＋１に対しては全く入力されないから、従って、第１引用例のレシピーテーブルは本願発明のプロセスプログラム群とは全く異なるものである、と主張しているが、請求人は第１引用例中の「Ｓｐｅｃｉｆｉｃ　Ｓｔｅｐ」という用語を「特定のステップ」と誤訳してそのような解釈を行っており、第１引用例の技術分野の技術常識からはずれた矛盾した主張である。上記用語は「固有のステップ」というように解すべきであって、この場合各生産レシピーはｍのみならずｍ＋１やｍ－１のステップにも入力されると解されるのは当然である。

(5) 　以上のとおりであるから、本願発明は第１引用例及び第２引用例の各技術内容から当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。

４ 　審決を取り消すべき事由

審決の理由の要点(1)は認める。

同(2)<１>のうち、第１引用例において、「このステップ毎にシーケンス時間値（ＴＮＥ）その他」が入力されるようになっていること、及び機能動作情報に「ガス種類選択」が含まれることは争い、その余は認める。

同(2)<２>のうち、第２引用例において、修正用プログラムを「制御プログラム記憶部」に記憶しておくことは争い、その余は認める。

同(3)<１>のうち、生産レシピーが「各ステップに入力される」こと、及び、生産レシピーに「シーケンス時間即ちＴＮＥ」及び「ガス選択」の各データが含まれることは争い、その余は認める。同(3)<２>のうち、「前記制御装置は、前記炉内における１回の気相成長に係る実際の各シーケンスプロセスに対応して必要とされるシーケンス時間と該シーケンス時間内において供給されるべき１つまたは複数のガスの種類およびその流量と前記シーケンス時間内において炉内で実現すべき温度とに関する情報を前記各シーケンスプロセスに対応するパラメータデータとしてストアし得るプロセスプログラムを形成し」の点は争い、その余は認める。ただし、相違点は他にもある。

同(4)<１>のうち、制御プログラムを制御プログラム「記憶部」に記憶しておくこと、及び、「従って、第２引用例のコンピュータコントロールされた気相エピタキシャル製造システムにおいて、表示手段上に表示されたプロセスプログラムの内容（生産レシピー）を修正するための修正用処理プログラムを第１メモリとは異なる別のメモリ、例えば第２メモリに貯蔵する用にすることは、当業者が良く知られている慣用技術から容易に想到し得ることである。」は争い、その余は認める。同(4)<２>のうち、請求人（原告）が、第１引用例の特定のステップに対してのみＴＮＥ等の生産レシピーが入力されるものであって、それ以外のステップにはそれらのデータは入力されない、第１引用例のレシピーテーブルは本願発明のプロセスプログラム群とは全く異なるものである、と主張したことは認めるが、その余は争う。

同(5)は争う。

審決は、一致点の認定を誤り、相違点を看過し、かつ、相違点に対する判断を誤った結果、進歩性の判断を誤ったものであるから、違法なものとして取り消されるべきである。

(1) 　取消事由１（一致点の認定の誤り）

審決は、

第１引用例には、「このステップ毎にシーケンス時間値（ＴＮＥ）その他」（甲第１号証４頁６行、７行、）が入力されるようになっており、機能動作情報に「ガス種類選択」（同４頁１１行）が含まれると認定し、

第１引用例において、生産レシピーが「各ステップに入力される」（同５頁１２行、１３行）、すべての生産レシピーに「シーケンス時間即ちＴＮＥ」（同５頁１３行、１４行）及び「ガス選択」（同５頁１４行）の各データが含まれると認定し、

本願発明と第１引用例に記載のものは、「前記制御装置は、前記炉内における１回の気相成長に係る実際の各シーケンスプロセスに対応して必要とされるシーケンス時間と該シーケンス時間内において供給されるべき１つまたは複数のガスの種類およびその流量と前記シーケンス時間内において炉内で実現すべき温度とに関する情報を前記各シーケンスプロセスに対応するパラメータデータとしてストアし得るプロセスプログラムを形成し」（甲第１号証７頁５行ないし１３行）の点で一致すると認定するが、

誤りである。

<１>　本願発明においては、個々のプロセスプログラム毎にシーケンス時間を持つものである（甲第２号証特許請求の範囲第１項）。

これに対し、第１引用例（甲第３号証）に記載のものにおいては、すべてのステップが次実行時間（ＴＮＥ値）を持つものではなく、特定ステップのみＴＮＥ値を持つものである。すなわち、第１引用例（甲第３号証）には、「主要な要素は、ステップ番号、特定ステップに関して、真の経過時間である“次実行時間”（ＴＮＥ）値、そして、各ステップに関して、設定値と機能操作情報を収納している“レシピーテーブル”である。」（訳文６頁４行ないし６行）と記載されている。この記載によれば、第１引用例のステップとして、特定ステップ（ｓｐｅｃｉｆｉｃ　ｓｔｅｐｓ）と各ステップ（ｅａｃｈ　ｓｔｅｐ）の２種類のステップの表現があり、特定ステップに対し真の経過時間である「次実行時間」（ＴＮＥ値）が収納されていること、そして、各ステップに対し設定値と機能操作情報が収納されていることが理解される。言い換えれは、ｅａｃｈ　ｓｔｅｐの中のいくつかにＴＮＥ値を有するステップが存在し、そのステップをｓｐｅｃｉｆｉｃ　ｓｔｅｐｓと呼んでいる。

<２>(a)　本願発明は、１回の気相成長を構成する各シーケンスプログラムにつき、それぞれのシーケンスプロセスにおいて必要とされるパラメータデータであるところの「シーケンス時間」、「ガスの種類およびその流量」、「温度」を、別表１（本願明細書の第９図の矢印で示されている部分に、パラメータデータを明記し、シーケンス名を付記したもの）に示すように、各シーケンスプロセス毎にストアするようにプロセスプログラムを構成したことを特徴としている。そして、このパラメータデータに基づいてデコード処理プログラムが弁装置及び加熱装置への制御信号を形成するものである。

(b)　これに対し、第１引用例に記載のものの設定値と機能操作情報の内容について、どのような構造であるか何らの説明がない。

仮に、これらを合理的に理解しようとすると、機能操作情報とは、オン／オフ機能、警告、Ｉ／Ｏビット等ガスを流すためのバルブをオンさせたり、オフさせたりする情報を意味し、また、設定値とは、ガスの流量、温度等を意味すると解される。

すなわち、第１引用例に記載のものは、基本的に従来の装置と同じく、プロセスを実行するためのプログラムは、ガスの供給、停止、加熱のオン、オフ、設定温度の切換え等のプロセスの状態変化に応じてそれぞれの機器に指令を出す方式を用いていると推測される。例えば、別表２（第１引用例の「時間とシーケンス制御」の項に記載されたステップ内容に基づき、同第７図のレシピーテーブルを補充したもの）中のステップ１で開かれたＮ2ガスバルブは、Ｎ2をリアクタ内に流す動作の終了後、ステップ２にてバルブ閉の機能操作情報が必要になる。このことは、Ｈ2ガスについても同じことが言え、ステップ３にて開かれたＨ2ガスバルブは、ステップ２０にて、バルブ閉の機能操作情報が必要となる。別表２から明らかなように、第１引用例では、この設定値と機能操作情報とを組み合わせた形式で各ステップが形成されており、よって、第１引用例の各ステップの形式は、例えば、ステップ１において、Ｎ2ガスバルブ開情報を規定し、ステップ２でそのＮ2ガスバルブ閉情報を規定するというように、バルブ操作を中心として各ステップが構成される。

以上の点は、当時の技術水準からも裏付けられる。すなわち、「ソリッド・ステイト・テクノロジー　１９７９年７月号５１頁ないし５７頁及び８４頁」（甲第８号証の１）及びそれに対応する「ソリッド・ステイト・テクノロジー／日本版　１９７９年８月号　１７頁ないし２４頁」（甲第８号証の２）には（以下、甲第８号証の２に基づき説明する。）、第３図（甲第８号証の３。別紙図面２）が記載されているが、この図は、１８頁の第Ⅱ表の「標準的なＬＰＣＶＤ成長条件」の項のシリコン窒化膜を生成するためのレシピー（プログラム群）である。この操作において、第３図のＳＥＱ　ＥＶＥＮＴ（以下「ＳＥＱイベント」という。）１０から６０は＊（星印）が付されており、これらは開始条件を意味し、１１０から５９０のシーケンスを実行するために、各ＬＰＣＶＤ装置は、既に＊の状態になっていることを示している。そして、この操作は、オペレータによって各ＬＰＣＶＤコンピュータに入れられると記載されている（甲第８号証の２第１８頁左欄１４行ないし１７行）。第Ⅱ表の条件を検討すると、与えられた数値、すなわち、圧力は３２０μｔｏｒｒ、温度は７８５℃（導入部）、８００℃（中央部）、８２５℃（排気部）、ガス流量は２７ｃｃ／分（ＳｉＨ2Ｃｌ2）、９３ｃｃ／分（ＮＨ3）が必要であることが分かり、この条件を第３図のプロセスに当てはめてみる。そして、シリコン窒化膜を得るために、ＳＥＱイベント２００でＮＨ3ガスが９３ｃｃ／分供給され、ＳＥＱイベント２１０でＳｉＨ2Ｃｌ2ガスが２７ｃｃ／分供給されている。そして、ＳＥＱイベント１１１、１１２、１１５、１２４、１２７、１４５、２０５、２２５、４００、５０５、５４０、５９０の各ステップにおいては、時間値（：００）を持たないことも判明する。例えば、ＳＥＱイベント１１２ＶＡＣＣＵＭステップは、機能操作情報としてＯＮの指令があり、これにより、ゲートバルブがＳＥＴ（ＯＮ）されることが明記されている。また、ＳＥＱイベント１２４　ＮＩＴＲＯＧ　０ｃｃ／Ｍは、Ｎ2ガスラインをＯＦＦするためのステップであることも判明する。このように、甲第８号証の２に記載の装置におけるプロセスを実行するためのプログラムは、ガスの供給、停止、加熱のオン、オフ設定温度の切換等のプロセスの状態変化に応じてそれぞれの機器に指令を出す方式を用いており、各ＳＥＱイベントは、１つのセットポイントを中心にストアされ、かつ、経過時間を持つステップも存在している。

同様に、「セミコンダクターインターナショナル　１９８２年３月号」（甲第９号証の１）においては、５９頁上部に写真が掲載され、その写真の左側には、「チューブ炉システム、即ち、ＴＭＸ－９０００のマイクロプロセッサからのレシピが２重焼き付けされたＴｈｅｒｍｃｏのＶＬＴＯ石英台」と記載されている。すなわち、この写真は、Ｔｈｅｒｍｏ社のＣＶＤ装置のレシピーエディタを示している。このレシピー　エディタには、バルブのＯＮ／ＯＦＦ情報が組み込まれていることが特徴であるが、この場合においても、１つのセットポイントを中心にストアきれている点及び１つ１つのコマンド（又はＳＥＱポイント）を解読し、処理する方式である点において、甲第８号証の２の第３図（別紙図面２参照）と同様である。しかも、このレシピー　エディタは、ガスの種類とその流量に関してのみであり、温度に関する情報をパラメータとすることについての記載はないと同時に、コマンドの組合せからみてみると、各ステップ（ＳＥＱイベント）は、時間を持たないものから構成されていることも判明する。

以上のとおり、甲第８号証の１ないし３及び甲第９号証の１、２に示された従来技術を参照すれば、第１引用例のレシピーテーブルには、動作（ガス流量設定及びバルブ操作）を中心としたステップが記載され、そのステップには、時間値を持つ特定ステップと時間値を持たない各ステップが存在していると理解することが自然である。

<３>　第１引用例には、生産レシピーとして、「ガス種類選択」（甲第１号証４頁１１行）を含む機能動作情報（機能操作情報）をレシピーファイルとしてディスクに保存することについては、全く記載されていない。

<４>(a)　被告は、時間が全くロードされないステップが存在した場合は、これに対応するスキャンコントロールテーブルに何らの実行情報もロードはできない旨主張するが、この主張は、第１引用例中の「主要な要素は、ステップ番号、特定ステップに関して、真の経過時間である“次実行時間”（ＴＮＥ）値、そして、各ステップに関して、設定値と機能操作情報を収納している“レシピーテーブル”である。」（甲第３号証訳文６頁４行ないし６行）と、「特定ステップに関して、」との記載を含む記載と整合しない。また、特定ステップでないステップ（仮に、「Ａステップ」という。）においては、Ａステップの設定値及び機能操作情報が読み込まれ、ＡステップはＴＮＥ値を有していないので、更にステップポインターが＋１されて次のステップ（特定ステップ）（仮に、「Ｂステップ」という。）に移り、ＢステップのＴＮＥ値がＴＮＥテーブルに移されるとともに、Ｂステップの設定値及び機能操作情報が読み込まれ、スキャン・コントロールテーブルへ移され、その後、ＢステップのＴＮＥ値の時間内に、Ａステップ及びＢステップに対応して読み込まれた情報に基づいてシーケンスが実行されるものであり、装置の制御が可能である。

(b)　被告は、第１引用例中の「特定ステップに関して、Ｉ／Ｏ機能および設定値比較は、システムクロックにより、１００ｍｓ毎に行われる。」（甲第３号証訳文６頁１５行、１６行）との記載は、「各々の（固有の）ステップに関して、・・・設定値の比較は、システムクロックにより、１００ｍｓ毎に行われる。」というように解釈すべきであり、そう解さなければ、上記記載は第１引用例の技術内容全体と矛盾する結果となると主張する。しかしながら、当業者であれば、上記記載を「他方、レシピーが特定ステップにあれば、全ての設定値・オン／オフ機能・警告・Ｉ／Ｏビット等は対象炉用にスキャン・コントロールテーブルにロードされるため、その結果、Ｉ／Ｏ機能及び設定値比較は、システムクロックにより、１００ｍｓ毎に行われる。」と理解するのが自然である。

(c)　被告は、レシピーテーブルとスキャンコントロールテーブルにロードされる情報は異なる旨主張するが、このようなことは第１引用例には記載がなく、ガスに関していえば、ｆｕｎｃｔｉｏｎ　ｏｐｅｒａｔｉｏｎ　ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎという原文中の用語からしても、機能操作情報は、オン／オフ機能（ＯＮ／ＯＦＦ　ｆｕｎｃｔｉｏｎ）と同等か、より具体的な情報を含むと考えるべきである。例えば、第１引用例の第７図（別紙図面１参照）にも例示されるように、スキャンコントロールテーブルの機能操作情報と設定値は、共にレシピーテーブルから直接情報が与えられるように実線で示されており、ことさら機能操作情報と設定値とを区別して、設定値は直接スキャンコントロールテーブルヘロードされるが、機能操作情報である「ガス供給情報」は、デコードされて「オン／オフ機能」としてスキャンコントロールテーブルヘロードされるというように理解しなければならないとするのは不自然である。

(2) 　取消事由２（相違点の看過）

<１>　本願発明は、「前記プロセスプログラムの内容を前記キー入力手段に応答して表示せしめる表示手段と・・・前記表示手段上に表示されたプロセスプログラムの内容を修正するための修正用処理プログラム」（甲第２号証２欄２行ないし９行）と記載されているように、表示手段上に表示されたプロセスプログラムの内容を修正するための修正用処理プログラムを備えている。

この修正用処理プログラムは、一連のプロセスプログラムからなる１回の成長プロセスの実行途中であっても、キー入力手段と表示手段を用いて、これから実行に入るプロセスプログラムの内容であるパラメータデータを修正することができる。

これに対し、第１引用例に記載のものは、オペレータでも取扱い可能な本願発明の修正用プログラムと同様の修正用プログラムについての記載はない。むしろ、第１引用例の装置は、人的介在を排除しているものである。

<２>　被告が提出する乙第３号証には、単に「割込処理」、「設定値などのパラメータ変更、設定」等と記載されているのみであり、それらの具体的な手順、方法、関係に踏み込んで何ら説明がされていないから、第１引用例の技術内容を特定する根拠とはなり得ない。

(3) 　取消事由３（相違点に対する判断の誤り）

審決は、第２引用例に記載のものは、修正用プログラムを「制御プログラム記憶部」（甲第１号証５頁２行、同８頁１３行）に記憶しておくと認定し、「従って、第２引用例のコンピュータコントロールされた気相エピタキシャル製造システムにおいて、表示手段上に表示されたプロセスプログラムの内容（生産レシピー）を修正するための修正用処理プログラムを第１メモリとは異なる別のメモリ、例えば第２メモリに貯蔵するようにすることは、当業者が良く知られている慣用技術から容易に想到し得ることである。」（同９頁２行ないし１０行）と判断したが、誤りである。

第２引用例に記載のものは修正用プログラムを「制御プログラム記憶部」に記憶しておくとの認定は、第２引用例の記載内容とは一致しない。そして、被告は、「第２引用例」は「第１引用例」の誤記であると述べているが、「従って・・・容易に想到し得ることである。」との記載は、第２引用例の記載に基づいて、本願発明の構成が容易に想到されると読むのが自然であり、被告主張のように「第２引用例」を「第１引用例」の誤記とすることは、文章の流れ上矛盾を生ずる。

仮に、前記「第２引用例」の記載が「第１引用例」の誤記であるとしても、修正用処理プログラムを、修正対象プログラムが貯蔵されるメモリとは別のメモリに貯蔵しておき、必要な時にこれを呼び出して、先のメモリから読み出された修正対象プログラムを修正するという考え方は、第２引用例に示されておらず、しかも、第２引用例の修正対象は、本願発明と異なり、制御プログラムそのものであるから、「当業者が良く知られている慣用技術から容易に想到し得る」との判断は誤りである。

第３ 　請求の原因に対する認否及び反論

１ 　請求の原因１、２は認める。同３のうち、「制御プログラム記憶部」（甲第１号証５頁２行、同８頁１３行）の点、及び、「第２引用例」（同９頁３行）の点は争い、その余は認める。「制御プログラム記憶部」（甲第１号証５頁２行、同８頁１３行）は「制御プログラム記憶部外」の、「第２引用例」（同９頁３行）は「第１引用例」のそれぞれ誤記である。同４は争う。

審決の認定、判断は正当であって、原告主張の誤りはない。

２ 　反論

(1) 　取消事由１（一致点の認定の誤り）について

<１>　第１引用例におけるシーケンス制御システムは、４つの重要なパラメータ、すなわちウェハ温度、ガス流量、時間そしてシーケンスを操作することで全体のシーケンス制御を行うことを特徴とする。そして、これらのパラメータ情報を収容するのが甲第３号証の第７図（別紙図面１参照）に示されているレシピーテーブルである。レシピーテープルはコアメモリに常駐されたテーブルであり、そこに搭載される内容は、ディスクにストアされたレシピーファイルから、起動時に転送ロードされた一種のプログラムであり、本願発明のプロセスプログラムに相当する。レシピーテーブルには、上記４つのほかに、これらと同じくパラメータ情報である機能操作情報（審決では、機能動作情報と表現）が付け加えられる。

レシピーテーブルファィルディスクから転送ロードされたレシピーテーブルの時間、設定値（温度と流量）及び機能操作情報等のパラメータデータは、具体的な実行可能な形に変換されてスキャンコントロールテーブルにロードされる。スキャンコントロールテーブルにロードされる情報は、全ての設定値、オン／オフ機能、警告、Ｉ／Ｏビット等である（甲第３号証訳文６頁１３行ないし１５行）。この変換に際しては、本願発明のデコード用処理プログラムに相当する何らかの処理プログラムをを用いて行われるのは当然である。１つの或るステップに対して、スキャンコントロールテーブルにロードされる情報は、

炉１・・・機能、設定値、入力、出力

炉２・・・機能、設定値、入力、出力

・・・・・・・・・・・・・・・・

という事項が第７図（別紙図面１参照）に示されている。これから理解できることは、スキャンコントロールテーブルにロードされる情報は、各反応炉についての具体的な各ガスバルブ（オン／オフバルブ）の開と閉（オンとオフ）の情報、設定値、各センサーからの各炉の各オン／オフバルブの開閉、流量、温度に関する入力値、補正要素（修正ファクタ：甲第３号証訳文６頁８行）を加味して入力値と設定値とを比較演算した結果である出力値、の４種類である。そして、最後の各出力値が、マイクロ秒単位の間隔で各炉の各オン／オフバルブ、流量制御素子（メータバルブ）、温度制御素子に対して走査（スキャン）供給される。このスキャンが、例えば３分間のシーケンス時間の間に、１００ｍｓ毎に繰り返される。

ここで重要なことは、機能操作に関する情報に関して、レシピーテーブルにロードされるものが「機能操作情穀」であるのに対して、スキャンコントロールテーブルにロードされるものが「オン／オフ機能」と表現されていることである（甲第３号証訳文６頁５行、６行、同１３行ないし１５行）。これは、レシピーテーブルにロードされる「機能操作情報」が或るガスの供給を特定するための供給操作を単に指示するにすぎない情報であるのに対して、スキャンコントロールテーブルにロードされる情報は、各反応炉について、Ｎｏ．５のオン／オフバルブオン（開）とし、Ｎｏ．７のオン／オフバルブをオフ（閉）とするというような具体的な実行のための情報である。更に言えば、レシピーテーブルには、バルブのオン／オフ情報はロードされず、選択されたガスの供給情報のみが、各ステップにロードされるだけである。そして、この選択されたガスの供給情報は、レシピーテーブルの各ステップに逐一ロードされなければならない。もしも途中でステップを省略をすると、ガス供給情報がそこで絶たれてしまい、スキャンコントロールテーブルにはそのガスのバルブを閉とするデータがロードされてしまう。

<２>　第１引用例の「時間とシーケンス制御」の項中の「製品レシピーは、ディスクに収納されており、適切な時間、機能および設定値情報を含む。起動されると、レシピーは・・・コアテーブルに移される。」（甲第３号証訳文６頁６行ないし８行）との記載にあるように、レシピーは「適切な時間」すなわち各ステップについてのとそれぞれの最適な時間値を含んでおり、これらの時間値がコァテーブルにロードされることが、第１引用例中に明記されているのであるから、あるステップのみにＴＮＥが登録され、その他のステップにはＴＮＥが全く登録されない、というようなことは、第１引用例に開示されていない。

また、「一度、実行が開始されると、最初のステップの次実行時間値は、ＴＮＥテーブル内にロードされる。これは、そのステップに関しての秒数であり、その数は、システムクロックからの信号で、各秒毎減算される。この値が零に至ると、ステップ”ポインター”は、次のステップに＋１され、新しい経過時間がＴＮＥテーブルに置かれる。これはプロセスタイマーである。」（訳文６頁９行ないし１３行）との記載は、実行が開始されると、まず最初のステップにおいて、第１ステップのＴＮＥ値がレシピーテーブルから運ばれて、コア中のＴＮＥテーブルに移される。そして、ＴＮＥ値がカウントダウンされて零に達した時に、次のステップに進むと同時に、第２ステップのＴＮＥ値がレシピーテーブルから運ばれて先と同じＴＮＥテーブルに移される。これらの動作が繰り返されて、ステップ（工程）が更新されながらＴＮＥテーブルには新しいＴＮＥ値が次々にレシピーテーブルから運ばれて置かれることを意味すると解される。

さらに、第１引用例の「時間とシーケンス制御」の項中の「特定ステップに関して、・・・設定値比較は、システムクロックにより、１００ｍｓ毎に行われる。」（同６頁１５行、１６行）という記載において、原告主張のように解すれば、上記記載は、「特定ステップの場合にのみ、・・・設定値比較は、システムクロックにより１００ｍｓ毎に行われる」となる。ところで、第１引用例中の「ガス流量制御」の項においては、「コンピュータは、プロセス制御のために、１００ｍｓの入力／出力あるいは読み込み／書き込みサイクルで処理する。・・・この値は、“設定”値と比較され・・・」（訳文５頁８行ないし１９行）と記載され、ここには、設定値比較は、全工程（全ステップ）において、１００ｍｓのシステムクロックで行われる、ということが示されている。したがって、上記訳文６頁１５行、１６行の記載は、「各々の（固有の）ステップに関して、・・・設定値の比較は、システムクロックにより、１００ｍｓ毎に行われる。」というように解釈すべきであり、そうすれば第１引用例の技術内容全体と矛盾しない。

<３>　「ｓｐｅｃｉｆｉｃ」という単語の和訳には、「特定の」という選択を意味するものに限らず、「固有の」あるいは「特有の」という選択を意味しない訳語が並べられている（乙第４号証）。

したがって、第１引用例中の「主要な要素は、・・・特定のステップに関して、・（ＴＮＥ）値・・・各ステップに関して、設定値と機能操作情報・・・である。」（甲第３号証訳文６頁４行ないし６行）、及び「特定ステップに関して、Ｉ／Ｏ機能および設定値比較は、システムクロックにより、１００ｍｓ毎に行われる。」（同６頁１５行、１６行）との記載の原文中の「ｔｈｅ　ｓｐｅｃｉｆｉｃ　ｓｔｅｐｓ」又は「ｔｈｅ　ｓｐｅｃｉｆｉｃ　ｓｔｅｐ」は、「それのみの」という意味での「特定ステップ」と訳すべきではなく、「固有のステップ」と訳されるべきである。

また、第１引用例中の「他方、レシピーが特定ステップにあれば、全ての設定値・オン／オフ機能・警告・Ｉ／Ｏビット等は対象炉用にスキャン・コントロールテーブルにロードされる。」（甲第３号証訳文６頁１３行ないし１５行）の原文中の「ａ　ｓｐｅｃｉｆｉｃ　ｓｔｅｐ」は、「或るステップ」という訳がされるべきである。すなわち、上記記載は、「他方、レシピーが（上記次々に更新されるステップ中の）或るステップにある間、そのステップについての全ての設定値・オン／オフ機能・・・等が（レシピーテーブルから運ばれて）スキャン・コントロールテーブルにロードされる」という意味になる。

<４>　原告は、甲第８号証の１ないし３及び第９号証の１、２に示された従来技術を参照すれば、第１引用例のレシピーテーブルには、動作を中心としたステップが記載されている等と理解するのが自然である旨主張する。

確かに、甲第８号証の１ないし３及び第９号証の１、２に記載のものは、機能操作情報又は設定値を基本的な単位として「シーケンスイベント」を構成し、継続時間（遅延時間）等をそのイベント中に配置する構成となっているイベント方式を採用しているが、この方式は、継続時間を基本的な単位として「ステップ」を構成し、機能情報と設定値とをそのステップ中に配置する構成となっている第１引用例に記載のものとは、基本的技術内容を異にするものであり、第１引用例に動作（ガス流量設定及びバルブ操作）を中心としたステップが記載されていること等を示す証拠にはならない。

なお、原告は、第３図（甲第８号証の３。別紙図面２参照）のＳＥＱイベント１１１、１１２等には時間をストアしていない旨主張するが、これらは、０という時間をストアしているのであるから、これらのＳＥＱイベントは、時間を全くストアしない「特定ステップ以外のステップ」には該当しない。

また、原告は、レシピーテーブルにロードされる機能操作情報について、「オン／オフ機能、警告、Ｉ／Ｏビット等を指す」と主張しているが、このようなことは、第１引用例には全く記載されておらず、また示唆もない。「レシピーが特定ステップ（被告の訳によれば、「或るステップ」）にあれば、全ての設定値・オン／オフ機能・警告・Ｉ／Ｏビット等は対象炉用にスキャン・コントロールテーブルにロードされる。」（甲第３号証訳文６頁１３行ないし１５行）との記載から明らかなように、「オン／オフ機能、警告、Ｉ／Ｏビット等」は、スキャンコントロールテーブルにロードされる情報であって、レシピーテーブルにロードされるものではない。

(2) 　取消事由２（相違点の看過）について

ＤＤＣを用いた化学プロセスのコンピュータ制御システムの一般的な例として乙第３号証（昭和４７年発行）のものがある。表１２．２．５．の標準的アプリケーションプログラムの構成例によると、非定時プログラムとして、オペレーションコンソールのデマンドによる割り込み処理によって呼び出される「設定値などのパラメータ変更、設定プログラム」がある。したがって、ＤＤＣ方式を基に構成されている第１引用例の技術内容は、修正用プログラムを当然備えているものであり、任意の時間にオペレータコンソールからの指示によりディスプレイ上で表示して、後のステップの設定値を修正変更できるものであり、データ変更の際に気相成長プロセスを停止させる必要などなく、この点の原告の主張は失当である。

(3) 　取消事由３（相違点に対する判断の誤り）について　審決における「制御プログラム記憶部」（甲第１号証５頁２行、８頁１３行）が、「制御プログラム記憶部外」の誤記であり、「第２引用例」（同９頁３行）が「第１引用例」の誤記であることは明らかであるから、審決に認定の誤りがあるとすることはできない。

すなわち、審決が第２引用例を引用した趣旨は、プロセスプログラムの内容を修正する修正用処理プログラムをプロセスプログラム群が貯蔵されるメモリとは異なるメモリ（第２メモリ）に貯蔵する、という本願発明と第１引用例に記載のものとの相違点の判断のために引用したものであり、第２引用例の採用は、本願発明の修正用処理プログラムに相当するデバックプスグラムを、本願発明のプロセスプログラム群に相当する制御プログラムを貯蔵する「制御プログラム記憶部」以外の記憶領域、すなわちデバックプログラム記憶部に記憶（貯蔵）しているという認識に基づいていることは明らかである。

また、審決が本願発明と第１引用例の記載のものとの対比によう一致点と相違点を摘記した上、前記摘記された相違点についての判断を行うという論理構成を採っていることは明らかであり、「第２引用例」が「第１引用例」の誤記であることは明らかである。

さらに、第１引用例のコンピュータコントロールされた気相エピタキシャル製造システムにおいて、表示手段上に表示されたプロセスプログラムの内容（生産レシピー）を修正するための修正用処理プログラムを第１メモリとは異なる別のメモリ、例えば第２メモリに貯蔵する用にすることは、当業者が良く知られている慣用技術から容易に想到し得ることであるとの審決の判断に何ら誤りはない。

第４ 　証拠

証拠関係は、本件記録中の書証目録記載のとおりであって、書証の成立はいずれも当事者間に争いがない。

理由

１ 　請求の原因１（特許庁における手続の経緯）及び同２（本願発明の要旨）は、当事者間に争いがなく、同３（審決の理由の要点）は、「制御プログラム記憶部」（甲第１号証５頁２行、同８頁１３行）の点及び「第２引用例」（同９頁３行の点を除き、当事者間に争いがない。

２ 　本願発明の概要

甲第２号証によれば、本願明細書には、本願発明の構成を採用することの目的、効果として、次の記載があることが認められる。

(1) 　「今日、半導体チップの製造法として、半導体のウエハ上に気相成長を行う気相成長装置が多用されるようになると共にこの種装置の運転についてその自動化が要求されるようになった。」（３欄８行ないし１１行）、「このような観点から、オペレータの作業を可能な限り少なくするため、ガス流量、温度および時間の如きプロセスパラメータをコンピュータによるＤＤＣ方式で行う制御システムが提案されている。」（４欄２行ないし６行）

「今日における絶えざる半導体チップの集積度増大化の要求、精度向上の要求が厳しいため、半導体製造装置の技術開発においては、例えばＣＶＤ反応炉内での物理・化学的現象の解明、新しい測定方法の開発等が複雑に影響しつつ進行している。特に、気相成長装置の場合、膜厚等に対するデータの修正や補正といった作業が装置の稼働状況の中で要求される。」（４欄１６行ないし２３行）、「ガス流量、温度および時間等のプロセスパラメータとして設定し、コンピュータによるＤＤＣ方式で行う制御システムでは、前述したような条件設定の変更を行うにはプロセスプログラムの内容を修正する必要があり、このためプロセスプログラムの内容修正のためのプログラムをシステムプログラムの一部として含むようにシステムプログラムを構築しなければならない。しかしながら、この種の制御システムでは、予め設定されたプロセスプログラムの実行が開始されると、途中で運転停止を行うか１回の処理操作を完了するまでプロセスプログラムの内容修正を行うことができない。」（５欄４０行ないし６欄８行）、「そこで、本発明の目的は、１回の気相成長を遂行するための複数のシーケンスプロセスにおいて、各シーケンスプロセスに対しそれぞれ必要とされるプロセスパラメータとしての時間、ガス、温度に関する情報をプロセスプログラムとしてストアし、このプロセスプログラムを単位としてオペレータがその内容を呼び出してこれを表示手段に表示させ、各プロセスパラメータの修正を可能としかつその内容をリァルタイムで実行可能とし、現実に要求される各種の操作を一連のプロセスプログラムによって簡便に実現することができる半導体気相成長装置を提供するにある。」（６欄１２行ないし２３行）

(2) 　「本発明装置においては、オペレータの要求によりプロセスプログラムを単位毎に呼び出してこれを表示手段に表示させ、各プロセスパラメータの修正を可能とすると共にその内容をリアルタイムで実行可能であるから、現実に要求されている各種の操作を実際の物理的・化学的条件に適合させたシーケンスプロセスとして対応することができ、しかもその内容を直ちに把握することができる。従って、本発明装置によれば、最適な製造工程の準備段階におけるプロセスパラメータの条件設定の変更をプログラマブルにしかも迅速に達成することができるので、品質の安定した製品の歩留りが向上するばかりでなく、装置の稼働率も増大し、従来のコンピュータを使用したＤＤＣ方式による制御システムの問題点を全て克服し、極めて制御性能の優れた半導体気相成長装置を提供することができる。」（３２欄２５行ないし４２行）

３ 　原告主張の取消事由１の当否について検討する。

(1) 　審決の理由の要点(2)<１>（第１引用例の記載事項の認定）のうち、「このステップ毎にシーケンス時間値（ＴＮＥ）その他」が入力されるようになっていること、及び機能動作情報に「ガス種類選択」が含まれることを除く事実、同(3)（本願発明と第１引用例との一致点の認定）<１>のうち、生産レシピーが「各ステップに入力される」こと、及び、生産レシピーに「シーケンス時間即ちＴＮＥ」及び「ガス選択」の各データが含まれることを除く事実、同(3)<２>のうち、「前記制御装置は、前記炉内における１回の気相成長に係る実際の各シーケンスプロセスに対応して必要とされるシーケンス時間と該シーケンス時間内において供給されるべき１つまたは複数のガスの種類およびその流量と前記シーケンス時間内において炉内で実現すべき温度とに関する情報を前記各シーケンスプロセスに対応するパラメータデータとしてストアし得るプロセスプログラムを形成し」の点を除く事実は、当事者間に争いがない。

(2) 　甲第３号証によれば、第１引用例の「時間とシーケンス制御」の項には、「時間とシーケンスの制御は、コア駐在テーブル・・・とシステムのリアルタイムクロックからの“クロック”機能の助けにより達成される。図７（別紙図面１参照）は、時間とシーケンス制御機能のブロック図である。主要な要素は、ステップ番号、特定ステップ（被告の主張：固有のステップ）に関して、真の経過時間である“次実行時間”（ＴＮＥ）値、そして、各ステップに関して、設定値と機能操作情報を収納している“レシピーテーブル”である。製品レシピーは、ディスクに収納されており、適切な時間、機能および設定値情報を含む。起動されると、レシピーは・・・、コアテーブルに移される。・・・一度、実行が開始されると、最初のステップの次実行時間値は、ＴＮＥテーブル内にロードされる。これは、そのステップに関しての秒数であり、その数は、システムクロックからの信号で、各秒毎減算される。この値が零に至ると、ステップ“ポインター”は、次のステップに＋１され、新しい経過時間がＴＮＥテーブルに置かれる。これは、プロセスタイマーである。他方、レシピーが特定ステップ（被告の主張：「或るステップ」）にあれば、全ての設定値・オン／オフ機能・警告・Ｉ／Ｏビット等は対象炉用にスキャン・コントロールテーブルにロードされる。特定ステップ（被告の主張：「各々の（固有の）ステップ」）に関して、I／Ｏ機能および設定値比較は、システムクロックにより、１００ｍｓ毎に行われる。全体の設備は、このテーブルを通じて同期して制御される。」（訳文６頁２行ないし１７行）と記載されていることが認められる。

この記載のみからは、第１引用例に記載のものの技術内容を必ずしも的確に把握することができない。そこで、当時の技術水準について検討すると、甲第８号証の１ないし３によれば、「ソリッド・ステイト・テクノロジー　１９７９年７月号　５１頁ないし５７頁及び８４頁」（甲第８号証の１）及びそれに対応する「ソリッド・ステイト・テクノロジー／日本版　１９７９年８月号　１７頁ないし２４頁」（甲第８号証の２）は、１９７９年７月ころに発表されたＬＰ（低圧）ＣＶＤ法によるポリシリコン、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜の成長パラメータの解析を目的とした実験結果が記載された文献（甲第８号証の２の表題）であるが、その実験に用いられた装置の説明として、「以下に述べる実験は、サームコＤＤＣ拡散炉システム・・・を用い、タイラン社がヒューレット　パッカード社用に作ったコンピュータ制御のＬＰＣＶＤシステムを用い、行ったものである。また、ヒューレット　パッカード社で開発したソフトウェアが、系の運転に用いられている。・・・炉の５つのゾーンに熱電対が収納されている点を除くと、このＨＰシステムは、標準的なＬＰＣＶＤ装置と同じである。」（同１７頁本文右欄４行ないし１２行）、「標準的な成長例をＳｉ3Ｎ4について第３図（甲第８号証の３。別紙図面２参照）に示す。操作は中央コンピュータにストアされ、オペレータによって各ＬＰＣＶＤコンピュータに入れられる。星印の事項は開始条件を示し、１１０から５９０のシーケンスで、膜成長の各過程がステップされる。第Ⅱ表（別紙図面２参照）に、ヒューレット　パッカード社における、ＬＰＣＶＤ成長の標準工程をまとめる。」（同１８頁左欄１３行なしい、１８行）と記載されていることが認められる。この記載によれば、甲第８号証の２における第３図（別紙図面２参照）は、甲第８号証の２の第Ⅱ表（別紙図面２参照）の「標準的なＬＰＣＶＤ成長条件」の項のシリコン窒化膜を生成するためのレシピー（プログラム群）であると認められる。

そして、第３図（別紙図面２参照）によれば、シリコン窒化膜を得るために、ＳＥＱイベント２００でＮＨ3ガスが９３ｃｃ／分供給され、ＳＥＱイベント２１０でＳｉＨ2Ｃｌ2ガスが２７ｃｃ／分供給されていること、ＳＥＱイベント１１１、１１２、１１５、１２４、１２７、１４５、２０５、２２５、４００、５０５、５４０、５９０の各ステップにおいては、時間値（：００）を持っていないこと、例えば、ＳＥＱイベント１１２ＶＡＣＣＵＭステップは、機能操作情報としてＯＮの指令があり、これにより、ゲートバルブがセット（オン）され、また、ＳＥＱイベント１２４ＮＩＴＲＯＧ　０ｃｃ／Ｍは、Ｎ2ガスラインをＯＦＦするためのステップであり、ＳＥＱイベント１２７Ｐ－ＬＭＴステップは、設定値として５０　ＭＩＣＲの指定があり、これにより圧力リミット値が設定されることが認められる。上記認定の事実によれば、１９７９年７月当時に使用されていた標準的なＬＰＣＶＤ装置においては、プロセスを実行するためのプログラムはガスの供給、停止、加熱のオン、オフ、設定温度の切換等のプロセスの状態変化に応じてそれぞれの機器に指令を出す方式を用い、各ＳＥＱイベントは、１つのセットポイントを中心にストアされており、かつ、経過時間を持つステップと持たないステップがあることが認められる。

被告は、甲第８号証の２の装置においては、経過時間を持っていないのではなく、０という時間をストアしていると主張するけれども、被告のいう「０という時間をストアしている」ものは、経過時間を持たないステップそのものというべきであるから、この点の被告の主張は採用できない。

１９７９年当時においても標準的なＬＰＣＶＤ装置のプロセスを実行するためのプログラムが上記認定のとおりのものであり、この技術水準を参酌して、第１引用例記載の技術内容を検討すると、「各シーケンスプロセスに対しそれぞれ必要とされるプロセスパラメータとしての時間、ガス、温度に関する情報をプロセスプログラムとしてストア」するという本願発明の構成を第１引用例に記載のものも有すると認めることはできない。すなわち、上記認定の従来技術を参酌すれば、第１引用例に記載のものは、ガスの供給、停止、加熱のオン、オフ、設定温度の切換等のプロセスの状態変化に応じてそれぞれの機器に指令を出す方式を用い、各ＳＥＱイベントは、１つのセットポイントを中心にストアされ、第１引用例に記載のものにおける機能操作情報とは、オン／オフ機能、警告、I／Ｏビット等ガスを流すためのバルブをオンさせたりオフさせたりする情報を意味し、設定値とは、ガスの流量、温度等を意味すると認められ、ステップには、「ｅａｃｈ　ｓｔｅｐ」で表される「各ステップ」とその内のいくつかの「ｓｐｅｃｉｆｉｃ　ｓｔｅｐ」で表される「特定ステップ」が存在し、各ステップについては設定値と機能操作情報が、特定ステップに関しては更にＴＮＥ値が収納されることが認められる。

(3)<１> 　被告は、「ｓｐｅｃｉｆｉｃ」という単語の和訳には、「特定の」という選択を意味するものに限らず、「固有の」あるいは「特有の」という選択を意味しない訳語が並べられていることを理由として、第１引用例中の「特定ステップ」は「固有のステップ」と訳すべきである等と主張する。

確かに、乙第４号証によれば、「ｓｐｅｃｉｆｉｃ」の訳語として、「特定の」の他に、「特有の」、「固有の」が英和辞典に登載されていることが認められる。しかしながら、適切な訳語が何かは、当時の技術水準を踏まえた文脈の中で判断されるべきところ、前記認定のとおりの技術水準を踏まえて判断すると、被告主張のように「固有のステップ」等との訳語を採用することはできない。

<２> 　被告は、時間が全くロードされないステップが存在した場合は、これに対応するスキャンコントロールテーブルに何らの実行情報もロードはできない旨、さらに、第１引用例（甲第３号証）の「時間とシーケンス制御」の項中の「特定ステップに関して、・・・設定値比較は、システムクロックにより、１００ｍｓ毎に行われる。」（訳文６頁１５行、１６行）という記載は、原告の主張に従えば、「特定ステップの場合にのみ、・・・設定値比較は、システムクロックにより１００ｍｓ毎に行われる」ことを意味することになるが、これは、設定値比較は全工程（全ステップ）においてシステムクロックにより１００ｍｓ毎に行われること（甲第３号証訳文５頁７行ないし２２行）と矛盾する旨主張する。

しかしながら、前記認定のとおり、第１引用例に記載のものは、ガスの供給、停止、加熱のオン、オフ、設定温度の切換等のプロセスの状態変化に応じてそれぞれの機器に指令を出す方式を用いているのであるから、上記主張はいずれも採用できない。すなわち、前記認定にかかる従来技術である標準的なＬＰＣＶＤ装置においても、各ＳＥＱイベントは、１つのセットポイントを中心としてストアされており、かつ、経過時間を持つステップと持たないステップがあっても、装置の制御が可能であったのであるから、第１引用例の前記「時間とシーケンス制御」欄の記載に照らすと、経過時間を持つステップと持たないステップを有する第１引用例のものにおいても、装置の制御が可能であることは明らかである。また、甲第３号証訳文５頁７行ないし２２行の記載と前記「時間とシーケンス制御」欄の記載とをあわせ考えても、被告主張にかかる「特定ステップに関して、Ｉ／Ｏ機能および設定値比較は、システムクロックにより、１００ｍｓ毎に行われる。」（同号証訳文６頁１５行、１６行）との記載は、当業者であれば、レシピーが特定ステップにあれば、全ての設定値・オン／オフ機能・警告・Ｉ／Ｏビット等は対象炉用にスキャン・コントロールテーブルにロードされるため、Ｉ／Ｏ能及び設定値比較は、システムクロックにより１００ｍｓ毎に行われると解することができるから、被告の主張はいずれも採用できない。

(4) 　なお、原告は、第１引用例には、生産レシピーとして、「ガス種類選択」（甲第１号証４頁１１行）を含む機能動作情報（機能操作情報）をレシピーファイルとしてディスクに保存することについては、全く記載されていないと主張する。

しかしながら、甲第３号証によれば、第１引用例には、「この様に、エピタキシャル構造は４つの重要なプロセスパラメータを操作することで得られる。すなわち、ウェハ温度、ガス流量、時間、そしてシーケンス。」（訳文４頁１１行、１２行）、「全てのガス流量及び温度の値は、専用のトランスデューサにより測定され、これらの値は、デジタル化され、・・・制御バルブ及び制御ポテショメータに対して信号を出力する。」（同４頁２０行ないし２４行）と記載され、さらに、プロセスパラメータとして、「ＳｉＣｌ4（ＳｉＨＣｌ3）用タンクを経たＨ2の流量」（同３頁下から５行）、「Ｈ2内ＳｉＣｌ4のモル割合」（同３頁下から３行）、「ドーパント・ダイリューションーインジェクションシステムにおけるガス流量（同４頁４行）と記載されていることが認められる。これらの記載によれば、プロセスパラメータとして、複数のガスを利用することが示唆されている。また、前記認定のとおり、第１引用例には、「レシピーが特定ステップにあれば、全ての設定値・オン／オフ機能・警告・Ｉ／Ｏビット等は対象炉用にスキャン・コントロールテーブルにロードされる。」（甲第３号証訳文６頁１３行ないし１５行）と記載されており、この記載は、機能操作情報に、「オン／オフ機能」すなわちガスバルブのオンオフ操作によるガス種類の選択が含まれることを示唆している。以上によれば、第１引用例には、生産レシピーとして、「ガス種類選択」を含む機能操作情報をレシピーファイルとしてディスクに保存することについて少なくとも示唆されているものであり、この点の原告の主張は採用できない。

(5) 　本願発明の要旨は、前記認定のとおりである。そうすると、審決の一致点の認定のうち、第１引用例には、「このステップ毎にシーケンス時間値（ＴＮＥ）その他」（甲第１号証４頁６行、７行、）が入力されるようになっている、第１引用例において、生産レシピーが「各ステップに入力される」（同５頁１２行、１３行）、すべての生産レシピーに「シーケンス時間即ちＴＮＥ」（同５頁１３行、１４行）の各データが含まれるとの認定、本願発明と第１引用例に記載のものは、「前記制御装置は、前記炉内における１回の気相成長に係る実際の各シーケンスプロセスに対応して必要とされるシーケンス時間と該シーケンス時間内において供給されるべき１つまたは複数のガスの種類およびその流量と前記シーケンス時間内において炉内で実現すべき温度とに関する情報を前記各シーケンスプロセスに対応するパラメータデータとしてストアし得るプロセスプログラムを形成し」（甲第１号証７頁５行ないし１３行）の点で一致するとの認定は、誤りであり、この一致点の認定の誤りが審決の結論に影響することは明らかである。

４ 　よって、原告の本訴請求は、その余の点について判断するまでもなく、理由があるから認容することとし、訴訟費用の負担について行政事件訴訟法７条、民事訴訟法８９条を適用して、主文のとおり判決する。

（裁判長裁判官　伊藤博　裁判官　濵崎浩一　裁判官　市川正巳）

別表１

本願発明の場合　（ＰＰＧ(4)）　第９図参照

PPNo　SEQ name　TiME　GAS FLOWN2　H2　DN　DP　SiCl4　HCl　0℃温度

1　N2 purge　3:00　FNIL

2　H2 purge　3:00　FH2L

3　Heat ON(1)　3:00　FH2L　01

4　Heat ON(2)　3:00　FH2L　02

5　HCl vent　3:00　FH2L　FHCL　02

6　HCl etch　3:00　FH2L　FHCL　02

7　H2 purge　3:00　FH2L　02

8　Heat down　3:00　FH2L　03

9　EPi vent(1)　3:00　FH2L　FDP　FSI　03

10　EPi depo(1)　3:00　FH2L　FDP　FSI　03

11　H2 purge　3:00　FH2L　03

15　Heat OFF　3:00　FH2L　(00)

16　H2 purge　3:00　FH2L

17　N2 purg　3:00　FN17L

FN1L/FN17L:N2 Flow rate, FH2L:H2 Flow rate,FHCL:HCL Flow rate, FDP:DP flow rate,FSI:SiCl4 Flowe rate,θ：Temperature

別表2

引用例１の場合(Fig.7:Recipe table)

STEP#　T.N.E SET POINTS

1　3:00　N2ガス流量設定＋N2ガスバルブ開情報

2　N2ガスバルブ閉情報

3　3:00　H2ガス流量設値＋H2ガスバルフ開情報

4　3:00　第１温度設定値＋RF（発振機）ON情報

5　3:00　第２温度設定値

6　3:00　HClガス流量設定値＋HClガスバルブベント開情報

7　HClガスバルブベント閉情報

8　3:00　HClガスバルブ炉側開情報

9　3:00　HClガスバルブ炉側閉情報

10　3:00　第３温度設定値

11　DPガス流量設定値＋DPガスバルブベント開情報

12　3:00 SiCl4ガス流量設定値＋SiCl4ガスバルブベント開情報

13　DPガスバルブベント閉情報

14　SiCl4ガスバルブベント閉情報

15　DPガスバルブ炉側開情報

16　3:00　SiCl4ガスバルブ炉側開情報

17　DPガスバルブ炉側閉情報

18　3:00　SiCl4ガスバルブ炉側閉情報

19　3:00　RF（発振機）OFF情報

20　3:00　H2ガスバルブ閉情報

21　3:00　N2ガス流量設定値＋N2ガスバルブ開情報

別紙図面１

<省略>

別紙図面２

<省略>

第11表－標準的なＬＰＣＶＤ或長条件

温度（℃）　反応ガス流量（cc／分）

膜の種類　圧力（Ｐａ）　導入部　中央部　排気部　SiH4 　SiH2Cl2 　N2O　NH3

ボリシリコン　220　628　625　633　53

シリコン窒化膜　320　785　800　825　27　93

シリコン酸化膜　390　930　925　910　56　113