東京高等裁判所 平成８年（行ケ）１３７号 判決 1998年3月31日
東京都大田区下丸子３丁目３０番２号
原告
キヤノン株式会社
代表者代表取締役
御手洗冨士夫
訴訟代理人弁護士
中島和雄
同弁理士
長尾達也
東京都千代田区霞が関３丁目４番３号
被告
特許庁長官
荒井寿光
指定代理人
倉地保幸
同
及川泰嘉
同
酒井伸芳
同
廣田米男
主文
１ 原告の請求を棄却する。
２ 訴訟費用は原告の負担とする。
事実
第１ 当事者が求める裁判
１ 原告
「特許庁が平成３年審判第４０７８号事件について平成８年８月２７日にした審決を取り消す。訴訟費用は被告の負担とする。」との判決
２ 被告
主文と同旨の判決
第２ 請求の原因
１ 特許庁における手続の経緯
原告は、昭和５５年３月２７日、名称を「非晶質シリコン薄膜トランジスタ」とする発明（以下、「本願発明」という。）について特許出願（昭和５５年特許願第３９２５１号）をしたが、平成２年１２月２７日に拒絶査定がなされたので、平成３年３月７日に査定不服の審判を請求し、平成３年審判第４０７８号事件として審理された結果、平成４年８月１１日に出願公告（平成４年特許出願公告第４９２６９号）されたが、特許異議の申立てがあり、平成８年２月２７日、特許異議の申立ては理由がある旨の決定とともに、「本件審判の請求は、成り立たない。」との審決がなされ、その謄本は同年６月１２日原告に送達された。
２ 本願発明の要旨（別紙図面Ａ参照）
水素化又は／及び弗素化非晶質シリコンからなる半導体層、該半導体層に接して設けた電気的な絶縁層、該絶縁層に接し、且つ前記半導体層とは反対側に配置させたゲート電極、前記半導体層をはさんで前記ゲート電極とは反対側に、互いに離隔されて並列的に配置された非晶質シリコンを母体とした第１のｎ+層及び第２のｎ+層、該第１のｎ+層に接して設けたソース電極、前記第２のｎ+層に接して設けたドレイン電極、とを有する非晶質シリコン薄膜トランジスタであって、前記ゲート電極が前記第１のｎ+層及び第２のｎ+層と重なりを形成するゲート電極幅をもち、前記半導体層がドーピング材料によりドーピングされていないノンドープ半導体層からなり、且つ前記ゲート電極幅にわたって設けられていることを特徴とする非晶質シリコン薄膜トランジスタ
３ 審決の理由の要点
(1)本願発明の要旨は、その特許請求の範囲１に記載されている前項のとおりである。
(2)これに対して、「1979年（昭和54年）秋季 第40回応用物理学会学術講演会 講演予稿集」の「３０ｐ－Ｓ－１８」（３２６頁。以下、「引用例１」という。）には、「単結晶シリコン基板（ゲート）の表面に約１μｍの熱酸化膜を成長させゲート酸化膜とする。次にチャンネルとなるｎ層（厚さ約０．１３μｍ）を堆積させ、（中略）パターニングした。（中略）その後ソース・ドレインとなるべきｎ+層（中略）を堆積させパターニングし、アルミニウムを蒸着して電極とした。最後に約２５０℃でＨ2アニールを行った」（左欄６行ないし１７行）ａ－Ｓｉ薄膜ＭＯＳトランジスタが記載され、さらに、「活性領域をアンドープのｎ-（中略）とした時」（左欄１８行、１９行）のａ－Ｓｉ薄膜ＭＯＳトランジスタが記載されている（別紙図面Ｂ参照）。
また、「ELECTRONICS LETTERS 15th March 1979 Vol.15 No.6」の１７９頁ないし１８１頁（以下、「引用例２」という。）には、ガラス基板上にＡｌによるゲート電極を形成し、シリコン窒化膜で覆い、該シリコン窒化膜上にアンドープのａ－Ｓｉ膜を被着して形成し、該ａ－Ｓｉ膜表面にソースとドレインの電極を間隔を置いてパターン被着したａ－Ｓｉ薄膜ＭＯＳトランジスタが記載されている（別紙図面Ｃ参照）。
(3)本願発明と引用例１記載のものとを対比検討する。
引用例１記載のａ－Ｓｉ薄膜ＭＯＳトランジスタにおいてソース・ドレインとなるべきｎ+層は、アンドープのｎ-層にオーミックコンタクトをしているから、本願発明の第１のｎ+層及び第２のｎ+層に相当しており、また、引用例１記載のａ－Ｓｉ薄膜ＭＯＳトランジスタにも、ａ－Ｓｉ膜形成後に、約２５０℃でＨ2アニールが行われているから、このａ－Ｓｉ膜も水素化されているとみることができる。
したがって、本願発明と引用例１記載のものとを対比すると、両者は、
「水素化非晶質シリコンからなる半導体層、該半導体層に接して設けた電気的な絶縁層、該絶縁層に接し、且つ前記半導体層とは反対側に配置させたゲート電極、互いに離隔されて並列的に配置された非晶質シリコンを母体とした第１のｎ+層及び第２のｎ+層、該第１のｎ+層に接して設けたソース電極、前記第２のｎ+層に接して設けたドレイン電極、とを有し、前記半導体層がドーピング材料によりドーピングされていないノンドープ半導体層からなる非晶質シリコン薄膜トランジスタ」
である点で一致する。
しかしながら、両者は、次の各点において相違している。
<１> 本願発明が、ゲート電極が第１のｎ+層及び第２のｎ+層と重なりを形成するゲート電極幅を持っているのに対し、引用例１記載のものは、ゲート電極がソース・ドレインとなるべきｎ+層と重なっているものの、該ｎ+層の持つ幅を越えて存在している点（以下、「相違点<１>」という。）
<２> 本願発明が、半導体層がゲート電極幅にわたって設けられ、該半導体層がゲート電極幅を越えて存在しているのに対し、引用例１記載のものは、アンドープのａ－Ｓｉ膜がソース・ドレインとなるべきｎ+層の持つ幅の内側にあって、ゲート電極の方が大きくなっており、アンドープのａ－Ｓｉ膜がゲート電極幅にわたって設けられていない点（以下、「相違点<２>」という。）
(4)各相違点について判断する。
<１> 相違点<１>について
引用例２記載の別紙図面Ｃによれば、シリコン窒化膜に接し、且つａ－Ｓｉ膜とは反対側に配置させたゲート電極、前記ａ－Ｓｉ膜をはさんで前記ゲート電極とは反対側に、互いに隔離されて並列的に配置されたソース電極とドレイン電極とを有し、前記ゲート電極がソース電極とドレイン電極と重なりを形成するゲート電極幅を持ち、該ゲート電極はソース電極とドレイン電極との持つ幅より内側に形成されているａ－Ｓｉ薄膜トランジスタが開示され、前記ゲート電極の端がソース電極とドレイン電極より内側に形成されたゲート電極幅を持っているから、引用例１記載のａ－Ｓｉ薄膜ＭＯＳトランジスタにおいても、ソース・ドレインとなるべきｎ+層を越えてゲート電極を形成する代わりに、所望する薄膜ＭＯＳトランジスタの特性を考慮しつつ、ゲート電極をソース・ドレインとなるべきｎ+層の持つ幅と重なりを持つように形成することに格別な創意工夫を要するものではない。
<２> 相違点<２>について
前項記載のように、引用例２記載の別紙図面Ｃにはａ－Ｓｉ薄膜トランジスタが開示されている。このトランジスタには、ａ－Ｓｉ膜がゲート電極幅を越えて存在すすことが示されており、ａ－Ｓｉ膜がゲート電極幅より大きく形成されているから、引用例１記載のａ－Ｓｉ薄膜ＭＯＳトランジスタにおいても、所望する薄膜ＭＯＳトランジスタの特性が得られるように、アンドープのａ－Ｓｉ膜を前記ゲート電極幅にわたって、すなわち、ゲート電極幅を越えて設けるように構成することは容易に想到することができたものであり、この点に格別の困難性があったとすることはできない。
(5)したがって、本願発明は、引用例１及び２記載の技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により、特許を受けることができない。
４ 審決の取消事由
各引用例に審決認定の技術的事項が記載されており、本願発明と引用例１記載のものが審決認定の相違点を有することは認める。しかしながら、審決は、一致点の認定及び相違点<１>の判断を誤り、かつ、本願発明が奏する作用効果の顕著性を看過した結果、本願発明の進歩性を否定したものであって、違法であるから、取り消されるべきである。
(1)一致点の認定の誤り
ａ 審決は、「引用例１記載のａ－Ｓｉ薄膜ＭＯＳトランジスタにおいてソース・ドレインとなるべきｎ+層は、（中略）アンドープのｎ-層にオーミックコンタクトをしているから、本願発明の第１のｎ+層及び第２のｎ+層に相当」するとしたうえ、本願発明と引用例１記裁のものは、「互いに離隔されて並列的に配置された非晶質シリコンを母体とした第１のｎ+層及び第２のｎ+層」を有する点において一致すると認定しているが、誤りである。
すなわち、従来の非晶質シリコン薄膜トランジスタには、ソース・ドレイン間の電圧（以下、［ＶD］という。）が低い領域においてはソース・ドレイン間の電流（以下、「ＩD」という。）が容易に立ち上がらず、ＶD－ＩD特性曲線に好ましくない歪みが生ずるという欠点がある。本願発明は、その原因が、半導体層と、ソース電極あるいはドレイン電極との間のオーミックコンタクトが十分でないことに起因するとの知見に基づき、その要旨とする一連かつ一体の構成によって、半導体層の表面をクリーンサーフェスにし、その上にｎ+層を形成することによって、半導体層と電極との間に十分なオーミックコンタクトを形成するようにしたものである。
これに対し、引用例１記載の非晶賞シリコン薄膜トランジスタにおいてソース・ドレインとなるべき電極は、半導体層との間に十分なオーミックコンタクトを形成していない。すなわち、引用例１記載の非晶質シリコン薄膜トランジスタは、半導体層に発生するチャネル領域を制限するために、半導体層のパターニングを必要とするものであるから、半導体層の表面は大気及びエッチング液に晒されてクリーンサーフェスとならず、したがって、その上に形成される電極との間に十分なオーミックコンタクトを形成することができないのである。このことは、同トランジスタの特性を示す別紙図面ＢのFIG.2に、室内照明下であるにもかかわらず、ＶDが極めて高く、ＩDが極めて低く記載されていることからも明らかである（本願明細書添付の別紙図面Ａ第４図と、引用例１の別紙図面BFIG.2とを、共通スケールで図示した甲第６号証（参考図３）を参照）。
ｂ また、審決は、「引用例１記載のａ－Ｓｉ薄膜ＭＯＳトランジスタにも、ａ－Ｓｉ膜形成後に、約２５０℃でＨ2アニールが行われているから、前記ａ－Ｓｉ膜も水素化されているとみることができる」としたうえ、本願発明と引用例１記載のものは、「水素化非晶質シリコンからなる半導体層」を有する点において一致すると認定している。
しかしながら、引用例１にはその非晶質シリコンが水素化された非晶質シリコンである旨は明記されていないから、単に「約２５０℃でＨ2アニールが行われている」ことのみから、その非晶質シリコンが水素化されていると認定するのは誤りである。
(2) 相違点<１>の判断の誤り
本願発明は、前記技術的課題を解決するために、特許請求の範囲記載の構成を採用し、特に、「半導体層が（中略）ゲート電極幅にわたって設けられている」という構成によって、半導体層に発生するチャネル領域が「ゲート電極幅」に対応して自ずと制限されるため、半導体層のパターニングが不要であり、したがって、半導体層の表面は大気等に晒されることがないのでクリーンサーフェスとなって、その上に形成される電極との間に十分なオーミックコンタクトを形成することができる。また、上記の構成を採用することによって、１つの基板上に複数のチャネル領域を形成して、アクティブマトリクス用トランジスタを得ることも可能となるのである。
これに対し、引用例２には半導体層と電極との間に十分なオーミックコンタクトを形成することについては記載も示唆もない。そして、引用例２記載の非晶質シリコン薄膜トランジスタはそもそもｎ+層を有しておらず、かつ、引用例２には１つの基盤上に複数のチャネル領域を形成してアクティブマトリクス用トランジスタを得ることは記載されていないから、引用例２の記載のみを論拠とする相違点<１>の判断は失当というべきである。
(3)作用効果の看過
審決は、本願発明が奏する作用効果について何ら認定判断していない。
しかしながら、本願発明は、半導体層と電極との間に十分なオーミックコンタクトを形成することによって、ＶDが低い領域においてもＩDをほぼ直線的に立ち上げることができ（ゲートオン時のオーミックコンタクト特性）、かつ、半導体層をゲート電極幅にわたって設けることによって、リーク電流を最小限に抑えることができる（ゲートオフ時の高抵抗特性）という作用効果を奏する。
これに対し、引用例１記載のものの奏する作用効果は、ゲートオン時のオーミックコンタクト特性、ゲートオフ時の高抵抗特性とも著しく劣るものであり、また、引用例２記載の非晶質シリコン薄膜トランジスタは、ｎ+層を有せず、半導体層と電極との間に十分なオーミックコンタクトが形成されるものではないから、本願発明の奏する前記の相乗的な作用効果は各引用例記載のものによっては到底得られないものであって、この点を看過してなされた審決の相違点の判断は誤りというべきである。
第３ 請求原因の認否及び被告の主張
請求原因１（特許庁における手続の経緯）、２（本願発明の要旨）及び３（審決の理由の要点）は認めるが、４（審決の取消事由）は争う。審決の認定判断は正当であって、これを取り消すべき理由はない。
１ 一致点の認定について
(1)原告は、引用例１記載の非晶質シリコン薄膜トランジスタは半導体層のパターニングを必要とするものであって、半導体層の表面は大気等に晒されるのでクリーンサーフェスとならず、したがってその上に形成される電極との間に十分なオーミックコンタクトを形成することができないから、「引用例１記載のａ－Ｓｉ薄膜ＭＯＳトランジスタにおいてソース・ドレインとなるべきｎ+層は、（中略）アンドープのｎ-層にオーミックコンタクトをしているから、本願発明の第１のｎ+層及び第２のｎ+層に相当」するとしたうえ、本願発明と引用例１記載のものは、「互いに離隔されて並列的に配置された非晶質シリコンを母体とした第１のｎ+層及び第２のｎ+層」を有する点において一致するとした審決の認定は誤りである旨主張する。
しかしながら、半導体層の表面が大気等に晒されることなくクリーンサーフェスであることも、半導体層と電極との間に十分なオーミックコンタクトを形成することも、本願発明の特許請求の範囲に記載されていないから、本願発明の要旨外の事項であって、原告の上記主張は前提において誤りである。のみならず、半導体層と電極との間に十分なオーミックコンタクトを形成するため両者の間にｎ+等層を形成すること、及び、真空中において半導体層上にｎ+層を形成することは、本出願前の周知技術である。そして、別紙図面ＢのFIG.2がほぼ直線的に立ち上がるＶD－ＩD特性曲線を示している以上、引用例１記載の非晶質シリコン薄膜トランジスタの半導体層と電極とは十分なオーミックコンタクトを形成していると解すべきであるから、審決の一致点の認定に誤りはない。この点について、原告は、別紙図面ＢのFIG.2に、室内照明下であるにもかかわらずＶDが極めて高く、ＩDが極めて低く記載されていることを指摘するが、そうであるからといって、同図に図示されているＶD－ＩD特性曲線がほぼ直線的に立ち上がっていることを否定することはできない。
(2)原告は、単に「約２５０℃でＨ2アニールが行われている」事実のみから引用例１記載の非晶質シリコンが水素化されていると認定するのは誤りである旨主張する。
しかしながら、シランのグロー放電分解によって作られた引用例１記載の非晶質シリコンにはシラン中の水素が取り込まれており、かつ、Ｈ2アニールによっても水素が取り込まれるから、引用例１記載のａ－Ｓｉ膜も水素化されているものとみることができるとした審決の認定に誤りはない。
２ 相違点<１>の判断について
原告は、引用例２には半導体層と電極との間に十分なオーミックコンタクトを形成することも、１つの基板上に複数のチャネル領域を形成してアクティブマトリクス用トランジスタを得ることも記載されていないから、引用例２の記載を論拠とする相違点<１>の判断は失当である旨主張する。
しかしながら、引用例２のFIG.3のＶD－ＩD特性曲線はほぼ直線的に立ち上がっているから、そのａ－Ｓｉ薄膜ＭＯＳトランジスタの半導体層と電極層とは十分なオーミックコンタクトを形成していると解し得るし、FIG.1には１つの基板上に複数のチャネル領域を形成することが明示されているから、原告の上記主張は当たらない。
３ 本願発明が奏する作用効果について
原告は、本願発明は、半導体層と電極との間に十分なオーミックコンタクトを形成することによって、ＶDが低い領域においてもＩDをほぼ直線的に立ち上げることができ（ゲートオン時のオーミックコンタクト特性）、かつ、半導体層をゲート電極幅にわたって設けることによって、リーク電流を最小限に抑えることができる（ゲートオフ時の高抵抗特性）という作用効果を奏するが、審決は本願発明が奏する作用効果について何ら認定判断していない旨主張する。
しかしながら、半導体層と電極との間に十分なオーミックコンタクトを形成することは、前記のとおり本願発明の要旨外の事項であるし、ゲートオフ時の高抵抗特性は引用例１において言及されている事項にすぎないから、原告の上記主張も当たらない。
第４ 証拠関係
証拠関係は、本件訴訟記録中の書証目録記載のとおりであるから、これをここに引用する。
理由
第１ 請求原因１（特許庁における手続の経緯）、２（本願発明の要旨）、３（審決の理由の要点）、及び、各引用例に審決認定の技術的事項が記載されており、本願発明と引用例１記載の技術的事項が審決認定の相違点を有することは、いずれも当事者間に争いがない。
第２ そこで、原告主張の審決取消事由の当否を検討する。
１ 成立に争いのない甲第２号証（特許出願公告公報）及び第３号証の１（平成５年７月２６日付け手続補正書）によれば、本願明細書には、本願発明の技術的課題（目的）、構成及び作用効果が次にように記載されていることが認められる（別紙図面Ａ参照）。
(1)技術的課題（目的）
本願発明は、非晶質シリコンを用いた薄膜トランジスタに関するものである（公報２欄１３行、１４行）。
液晶素子駆動用のトランジスタに有用であるとして提示されている水素化非晶質シリコン（ａ－Ｓｉ：Ｈ）を用いた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の構造は、基板上に、ゲート電極、該ゲート電極を覆うようにした窒化シリコンからなる絶縁層、該絶縁層上に水素化非晶質シリコンからなる半導体層、該半導体層上に並置したアルミニウムからなるソース電極及びドレイン電極を設けるものである（同２欄１５行ないし３欄３行）。
このような構造の非晶質シリコン薄膜トランジスタは、ゲート電極に一定電圧（ＶG）を印加し、ソース電極とドレイン電極との間の電圧（ＶD）を変化させた際の、ソース電極とドレイン電極との間を流れる電流（ＩD）が、ＶDが小さい領域においては殆ど増加傾向を示さない。すなわち、ＶD－ＩD特性曲線が、ＶDが小さい領域において直線的にならず歪んだものとなり、好ましいトランジスタ特性を示さない欠点を有する。この欠点は、水素化非晶質シリコンからなる半導体層と電極との間に十分なオーミックコンタクトが形成されていないことに起因する（同３欄４行ないし１４行）。
本願発明の目的は、ＶD－ＩD特性曲線に歪みのない好ましいトランジスタ特性を示し、かつ、トランジスタのオフ時のリーク電流が小さい、非晶質シリコン薄膜トランジスタを提供することである（同３欄１５行ないし１９行）。
(2)構成
上記の目的を達成するために、本願発明は、その要旨とする構成を採用したものである（手続補正書４枚目２行ないし１７行）。
(3)作用効果
本願発明によれば、水素化又は／及び弗素化非晶質シリコン半導体層を用いてダングリングボンド（不飽和電子対）を補償し、且つ、半導体層をドーピング材料でドーピングされていないノンドープ層としたことにより、半導体層の欠陥が極めて少なくなるため、ゲートオフ時のリーク電流を最小限に抑えることができる。また、ソース電極及びドレイン電極と、半導体層との間にｎ+層を設け、それらの間に良好なオーミックコンタクトが形成されるので、従来の非晶質シリコン薄膜トランジスタが有する、ＶDが小さい領域においてＶD－ＩD特性曲線が非直線性を示す（換言すれば、ＶDを増加してもＩDが余り増加しない）欠点を解消し、非常に優れたトランジスタ特性を得ることができる（公報１４欄１０行ないし２７行）。
２ 一致点の認定について
(1)原告は、本願発明はその要旨とする一連かつ一体の構成によって半導体層の表面をクリーンサーフェスにし、その上にｎ+層を形成することによって、半導体層と電極との間に十分なオーミックコンタクトを形成するようにしたものであるのに対し、引用例１記載の非晶質シリコン薄膜トランジスタにおいてソース・ドレインとなるべきｎ+層は半導体層との間に十分なオーミックコンタクトを形成していないから、「引用例１記載のａ－Ｓｉ薄膜ＭＯＳトランジスタにおいてソース・ドレインとなるべきｎ+層は、（中略）本願発明の第１のｎ+層及び第２のｎ+層に相当」するとした審決の認定は誤りであり、この認定を前提としてなされた、本願発明と引用例１記載のものは「互いに離隔されて並列的に配置された非晶質シリコンを母体とした第１のｎ+層及び第２のｎ+層」を有する点において一致するとした審決の認定は誤りである旨主張する。
しかしながら、電極が半導体層との間に十分なオーミックコンタクトを形成したものであることは、本願発明の特許請求の範囲に記載されていない事項であるから、本願発明の構成要件である電極が半導体層との間に十分なオーミックコンタクトを形成したものであることを前提とする原告の上記主張は、発明の要旨に基づかないものであって、失当である。そして、当事者間に争いのない審決認定の引用例１記載の技術的事項によれば、引用例１記載のものは「互いに離隔されて並列的に配置された非晶質シリコンを母体とした第１のｎ+層及び第２のｎ+層を有する」から、この点において本願発明と一致するとした審決の認定に誤りはない。
(2)原告は、引用例１にはその非晶質シリコンが水素化された非晶質シリコンである旨は明記されていないから、単に「約２５０℃でＨ2アニールが行われている」ことのみから、その非晶質シリコンが水素化されていると認定するのは誤りである旨主張する。
検討すると、前掲甲第４号証によれば、引用例１には、「シランのグロー放電分解によってつくられた非晶質シリコン（ａ－Ｓｉ）」（左欄１行、２行）と記載されていることが認められる。そして、前掲甲第２号証によれば、本願明細書にも「補償された非晶賓シリコンの形成には、水素（中略）とシリコンとの化合物を徒用し所謂グロー放電分解法に従って行われる。」（公告公報４欄３２行ないし３４行）と記載されていることが認められるから、シラン、すなわち「ＳｉＨ4」をグロー放電し分解することによって基板上に形成される薄膜状のアモルファスシリコンは、当然に水素を取り込んでいるもの（ａ－Ｓｉ：Ｈ）と考えるのが相当である。したがって、引用例１記載のａ－Ｓｉも水素化されているとみることができるとした審決の認定に誤りはない。
(3)以上のとおりであるから、審決の一致点の認定に誤りがあるということはできない。
３ 相違点<１>の判断について
原告は、本願発明は「半導体層が（中略）ゲート電極幅にわたって設けられている」ことによって半導体層に発生するチャネル領域が「ゲート電極幅」に対応して自ずと制限されるため、半導体層のパターニングが不要であり、したがって、半導体層の表面はクリーンサーフェスとなって、その上に形成される電極との間に十分なオーミックコンタクトを形成することができ、また、１つの基板上に複数のチャネル領域を形成して、アクティブマトリクス用トランジスタを得ることも可能であるのに対し、引用例２記載の非晶質シリコン薄膜トランジスタはそもそもｎ+層を有しておらず、かつ、引用例２には１つの基板上に複数のチャネル領域を形成してアクティブマトリクス用トランジスタを得ることは記載されていないから、引用例２の記載のみを論拠とする相違点<１>の判断は失当である旨主張する。
成立に争いのない甲第５号証によれば、引用例２には、半導体層と電極との間に十分なオーミックコンタクトを形成することについても、半導体層の表面をクリーンサーフェスにすることについても何ら記載されていないのに対し、本願発明は、非晶質シリコン薄膜トランジスタにおいて、好ましいトランジスタ特性が得られないのは半導体層と電極との間に十分なオーミックコンタクトが形成されていないことに起因するとの知見に基づいてその要旨とする構成を採用したものであることは、前記１認定のとおりである。
しかしながら、成立に争いのない乙第１号証（「半導体ハンドブック（第２版）」株式会社オーム昭和52年11月30日発行）、同第２号証（「Applied physics Letters」Vol.34, No.3 a publication of the American Institute of physics 1979年２月１日発行）及び同第３号証（「昭和55年度電子通信学会総合全国大会 講演論文集［分冊２］」昭和55年３月発行）によれば、非晶質シリコン薄膜トランジスタにおいて、好ましいトランジスタ特性を得るために、半導体層と電極との間のオーミックコンタクト特性を改善する必要があることは、本出願当時、当業者に周知の技術的課題であったことが認められるから、本願発明の技術的課題それ自体は格別新規なものではない。しかも、本願発明において半導体層の表面がクリーンサーフェスであり、その上に形成される電極との間に十分なオーミックコンタクトが形成されているとする限定が、発明の要旨に基づかないものであることは前記のとおりであり、また、本願発明が対象とする非晶質シリコン薄膜トランジスタが、１つの基板上に複数のチャネル領域を形成したアクティブマトリクス用トランジスタに限定されないことも、その特許請求の範囲から明らかである。
そうであれば、引用例１記載の非晶質シリコン薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極をソース・ドレインとなるべきｎ+層の持つ幅と重なりを持つように形成する引用例２記載の構成に置換して相違点<１>に係る本願発明の構成を得ることは、当業者であれば、所望するトランジスタの特性を考慮して容易になし得た程度のことということができる。
よって、引用例２の記載を論拠としてなされた相違点<１>に係る審決の判断を誤りとする理由は存しない。
４ 本願発明が奏する作用効果について
原告は、本願発明は半導体層と電極との間に十分なオーミックコンタクトを形成することによってゲートオン時のオーミックコンタクト特性を得るとともに、半導体層をゲート電極幅にわたって設けることによってゲートオフ時の高抵抗特性を得るという作用効果を奏するが、審決はこれについて何ら認定判断していない旨主張する。
前掲甲第２号証によれば、本願の公告公報には、本願明細書の発明の詳細に記載された実施例１及び２におけるＶD－ＩD曲線の結果を示す別紙図面Ａの第４図及び第５図が示され、このうち、<１>Ａ、Ａ－２曲線は、同第１図の構造においてｎ+層のない試料Ａ、Ａ－２の、<２>Ｂ、Ｂ－２曲線は、同第１図の構造において半導体層を形成した後大気に晒し、その後その表面上にｎ+層を形成した試料Ｂ、Ｂ－２の、<３>Ｃ、Ｃ－２曲線は、同第１図の構造において、半導体層を形成した後大気に晒さないが、グロー放電を一旦止め、その後にその表面上にｎ+層を形成した試料Ｃ、Ｃ－２の、<４>Ｄ、Ｄ－２曲線は、同第１図の構造において、グロー放電を止めることなく、半導体層とｎ+層とを連続的に形成した試料Ｄ、Ｄ－Ｄ２の、それぞれのオーミック特性を示すものであるが、本願明細書には、このうち、オーミック特性が十分に取れているのは試料Ｄ及びＤ－２だけであって（公報１２欄１行ないし１９行、１３欄３３行ないし３６行）、それ以外のオーミック特性はＣ、Ｂ、Ａの順に良好でないと記載されていることが認められる。
しかしながら、本願発明において半導体層の表面をクリーンサーフェスとすること、及び、その上に形成される電極との間に十分なオーミックコンタクトを形成することが発明の要旨とされていないことは前記のとおりであるから、本願発明の奏する作用効果は、前記試料Ｂ、Ｂ－２をも含むものであって、試料Ｄ、Ｄ－２に限定することはできない。そうすると、本願発明は、オーミック特性が十分にとれていないものも含むことになり、オーミック特性について本願明細書に記載された前記１(3)の作用効果を奏するものと認めることはできない。また、前記当事者間に争いのない審決認定の引用例２記載の技術内容によれば、引用例２記載の非晶質シリコン薄膜トランジスタは、ｎ+層のない試料Ａ、Ａ－２に相当するものであるが、試料Ｂ、Ｂ－２と試料Ａ、Ａ－２とを対比すると、両者はオーミック特性において格別顕著な差異があるとまではいえない。
また、本願明細書に、本願発明によれば「水素化又は／及び弗素化非晶質シリコン半導体層を用いてダングリグボンド（不飽和電子対）を補償し、且つ、半導体層をドーピング材料でドーピングされていないノンドープ層としたことにより」（公報１４欄１１行ないし１５行）、ゲートオフ時のリーク電流を最小限度に抑えることができる旨が記載されていることは前記のとおりである。しかしながら、「水素化（中略）非晶質シリコン半導体層を用いてダングリグボンド（不飽和電子対）を補償し、且つ、半導体層をドーピング材料でドーピングされていないノンドープ層と」する構成は、引用例１あるいは引用例２に記載されている構成に他ならないから、本願発明に係る非晶質シリコン薄膜トランジスタがゲートォフ時に奏する作用効果も、本願発明に特有のものとはいえない。この点について、原告が、本願発明に係る非晶質シリコン薄膜トランジスタの高抵抗特性は「半導体層をゲート電極幅にわたって設けることによって」奏されると主張していることは前記のとおりであるが、仮にそうであるとしても、引用例２に「ａ－Ｓｉ膜がゲート電極幅を越えて存在している」、あるいは「ａ－Ｓｉ膜がゲート電極幅より大きく形成されている」構成が記載されていることは審決認定のとおりであるから（この認定は、原告も争っていない。）、本願発明に係る非晶質シリコン薄膜トランジスタがゲートオフ時に奏する作用効果が本願発明に特有のものではないとの結論が左右されることはない。
以上のとおりであるから、審決が本願発明が奏する作用効果は格別顕著なものではなく、審決がこの点について認定判断しなかったからといって、審決に作用効果の顕著性を看過した違法があるとはいえない。
第３ よって、審決の取消しを求める原告の本訴請求は失当であるからこれを棄却することとし、訴訟費用の負担について行政事件訴訟法７条、民事訴訟法６１条の各規定を適用して、主文のとおり判決する（平成１０年３月１７日口頭弁論終結）。
（裁判長裁判官 竹田稔 裁判官 春日民雄 裁判官 山田知司）
別紙図面Ａ
１０１…ゲート電極 １０２…ソース電極 １０３…ドレイン電極
１０４…絶縁層 １０５…半導体層 １０６…基板
１０７…ｎ+層 １０８…クリーンサーフエス
<省略>
<省略>
別紙図面Ｂ
<省略>
別紙図面Ｃ
<省略>